制造商 | Infineon Technologies | 系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 175 毫欧 @ 1.5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 8µA |
Vgs(最大值) | ±12V | 功率耗散(最大值) | 560mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT363-6 | 封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 228pF @ 15V |
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
产品类型: P 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)
封装类型: SOT-363 (也称为6-VSSOP,SC-88)
BSV236SPH6327XTSA1 是英飞凌(Infineon Technologies)公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET,属于 OptiMOS™ 系列。该产品是专为高效能电源管理及开关应用而设计,应用于各种电子设备和电路中。凭借其卓越的导通电阻和宽广的工作温度范围,这款 MOSFET 在高效能和可靠性方面表现出色。
BSV236SPH6327XTSA1 的出色性能使其适用于多种应用,包括:
该 MOSFET 采用 SOT-363 封装,适合表面贴装(SMD)技术,便于自动化生产。小尺寸封装保证了高密度设计的需求,使其在空间有限的电路板中依然保持良好的性能。
BSV236SPH6327XTSA1 是一款高效能、极具竞争力的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻和宽广的工作温度范围,广泛适用于现代电子产品中的电源管理和开关应用。其优异的性能特征使得该产品在高效、低耗能及长寿命的优先考虑下,为电子工程师和设计师提供了一种理想的解决方案。
对于需要高可靠性和高效能的电子设计,BSV236SPH6327XTSA1 是一个值得考虑的选择。无论是用于消费电子还是工业控制,它都能够应对各种挑战,满足用户的多样化需求。