晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
功率 - 最大值 | 246mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
MMUN2211LT1G 是一种高性能的数字晶体管,属于 NPN 型预偏压晶体管,主要用于开关和放大电路中。该器件由知名半导体供应商 ON Semiconductor(安森美)推出,具有良好的电气性能和可靠性,适合多种电子应用场景。
该晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,规格为 SOT-23-3(TO-236),具备三针引脚配置。这种封装形式的优点在于体积小、重量轻,适合现代电子设备对空间和重量的严格要求,因此广泛应用于便携式设备和高密度电路板。
MMUN2211LT1G 的设计使其非常适合用于低功耗开关操作,该器件在饱和状态下表现出较低的压降,有利于提高系统效率。其最小 DC 电流增益 (hFE) 在低电流条件下仍可达到 35,使其在大多数应用中都能够提供足够的放大能力。
此外,该器件的集电极截止电流(500 nA)非常低,适合用于需要高阻抗状态的应用,如信号传输和信号处理电路。这种特性使得 MMUN2211LT1G 成为现代低功耗电子设备的理想选择,特别是在电流敏感的应用场合下。
MMUN2211LT1G 被广泛应用于多种电路和设备,包括:
MMUN2211LT1G 数字晶体管凭借其出色的性能和广泛的应用潜力,成为许多电子设计工程师的首选组件。其小巧的体积、优异的电气特性、可靠的工作条件使其适应现代电子产品对高效能和高集成度的需求。在未来的发展中,MMUN2211LT1G 将继续发挥重要作用,推动电子技术的进步与创新。