注：图像仅供参考，请参阅产品规格
2N7000TA
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-220AB
包装 :
编带
重量 :
0.429g
描述 :
场效应管(MOSFET) 400mW 60V 200mA 1个N沟道 TO-92-2.54mm
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.38按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.38
--
100+
￥1.06
--
1000+
￥0.881
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
2N7000TA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
2N7000TA手册
无数据
2N7000TA概述
产品概述：2N7000TA N通道MOSFET
一、概述
2N7000TA是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有广泛的应用场景，尤其适用于开关应用和负载驱动。这款器件由安森美（ON Semiconductor）生产，在现代电子设计中因其卓越的性能和可靠性而广受欢迎。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）可达200mA，功率耗散能力为400mW，这些特性使其成为电源管理、电机驱动、信号切换等领域的理想选择。
二、主要参数
FET 类型：N 通道
- N通道MOSFET的优点包括较低的导通电阻和更高的开关速度，使其在电源开关和放大电路中具有良好的性能。
漏源电压 (Vdss)：60V
- 支持高达60V的漏源电压，适应多种高压应用。
连续漏极电流 (Id)：200mA @ 25°C
- 在常温下，能够安全地承载200mA的电流，适合低功耗应用。
导通电阻 (Rds(on))：
- 最大导通电阻为5Ω（在500mA，10V下测试），这对于高效率的电源管理系统尤为重要，较低的导通电阻能够降低系统的功耗和热量产生。
门阈电压 (Vgs(th))：最大3V @ 1mA
- 在较低的门电压下就能导通，有助于减少控制电路的驱动要求。
功率耗散：最大400mW
- 适合在功率要求较低的应用场景，能够有效避免过热问题。
工作温度范围：-55°C至150°C
- 具备广泛的工作温度范围，适用于严苛的环境条件与工业应用。
封装类型：TO-92
- 采用TO-92封装，具有良好的散热性和安装方便性，适合多种设计和布局需求。
三、应用场景
2N7000TA MOSFET在多个领域展现出的灵活性和可靠性，适用于以下应用：
开关电源：
- 在DC-DC转换器和其它电源转换系统中用作开关元件，提供高效率和快速切换的能力。
信号放大与切换：
- 在音频/视频信号处理中的放大和切换应用中，可以提供较低的失真和良好的信号完整性。
电机驱动：
- 适用于小型直流电机的驱动，可以有效控制电机的启停和调速。
逻辑电平转换：
- 在各种数码电路中，作为逻辑电平转换器，帮助不同电平电路之间进行相互操作。
负载控制：
- 在灯光控制和家电开关等应用中，通过MOSFET的特性来控制大功率负载的开关。
四、总结
总之，2N7000TA是一款性能卓越、应用广泛的N通道MOSFET，适合在高压和低功耗环境下的各种电子设备中使用。凭借其良好的电气特性和耐用性，它能够满足现代电子电路对效率和可靠性的需求。在选择MOSFET时，2N7000TA无疑是一个值得考虑的优质方案。无论在工业控制、汽车电子或消费类电子产品中，其都能发挥重要作用，是设计工程师的理想选择。