MMBZ18VALT1G

MMBZ18VALT1G 产品概述

MMBZ18VALT1G 是安森美 (ON Semiconductor) 提供的一款齐纳二极管，专门设计用于电压保护和电源线路的静电放电 (ESD) 保护。该产品结合了优良的特性和适应广泛的应用场景，为各种电子设备提供了有效的防护。

主要规格与特点

• 器件类型: MMBZ18VALT1G 是一种齐纳二极管，具备单向通道形式。其设计确保在高精度电压调节和保护中表现优异。

• 反向断态电压: 该器件的典型反向断态电压为 14.5V，适用于需要稳定电压输出的电路设计。

• 击穿电压: 最小击穿电压设定为 17.1V，使得该器件在电压超过此值时能及时发挥保护作用，防止电路受损。

• 电压箝位特点: 针对不同的峰值电流 (Ipp)，该器件的最大箝位电压可达 25V，能有效地抑制过压事件，保护后续电路组件的安全。

• 峰值脉冲处理能力: MMBZ18VALT1G 能够承受高达 1.6A 的峰值脉冲电流 (在 10/1000µs 条件下)，并具有 40W 的峰值脉冲功率容量，这使其在瞬态过电压情况的处理能力上有很大优势。

• 工作温度范围: 器件可在 -55°C 至 150°C 的宽温范围内正常工作，适合多种极端环境下的应用，提供高度的可靠性和稳定性。

• 封装类型: 产品采用表面贴装型封装，封装形式为 SOT-23-3 (亦称 TO-236)，这种紧凑型封装使其适合空间受限的应用需求，同时便于自动化生产工艺。

应用领域

MMBZ18VALT1G 主要用于电子设备的电源线路保护，广泛应用于消费电子、通信设备、计算机和工业控制等领域。具体应用包括：

• 电源模块: 用于保护 DC 或 AC 电源模块，防止电压波动对整流和滤波电路的影响。
• USB 设备: 在 USB 接口和传输线中提供 ESD 保护，确保数据传输的稳定性。
• 电路板: 用于 PCB 设计中的过电压保护，防止静电放电和其它瞬态电压的破坏。
• 移动设备: 在智能手机、平板电脑等便携设备中提供关键的电压保护。

竞争优势

作为一款来自安森美的齐纳二极管，MMBZ18VALT1G 在市场上具备显著的竞争优势。其优质的电性能和适应各种电流、温度条件的能力，使其成为设计工程师的首选之一。同时，安森美提供的可靠性和技术支持也为客户在产品设计和开发中解除后顾之忧。

总结

MMBZ18VALT1G 是一款高性能的齐纳二极管，专为电路保护而设计，具备支持高电流、宽温度范围及紧凑封装的特点。其优秀的电压箝位性能和稳健的工作特性，使其成为各种电子设备中不可或缺的保护组件。无论是在高温、低温还是电压瞬变的挑战下，该器件均能可靠地提供保护，确保应用设备的长期稳定运行。