DMN3032LFDB-7
DMN3032LFDB-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.6nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
DMN3032LFDB-7手册
DMN3032LFDB-7概述
产品概述：DMN3032LFDB-7
DMN3032LFDB-7是一款高性能的N通道场效应晶体管（MOSFET），专为实现高效能电源管理和开关控制而设计。这款 MOSFET 延续了 DIODES（美台）品牌一贯的高品质和可靠性，适用于各种要求苛刻的应用场合。
主要参数
安装类型: DMN3032LFDB-7采用表面贴装型（SMD）封装，便于快速生产和组装，适合现代高密度电路板设计。
导通电阻 (RDS(on)): 在5.8A、10V电压下，最大导通电阻为30毫欧。在实际应用中，这样的低导通电阻可以有效减少在运行时的能耗，提高整体电源效率。
连续漏极电流 (Id): 该器件支持最大6.2A的连续漏极电流，使得它能够处理较大的负载，从而在电源管理和驱动应用中发挥关键作用。
漏源电压 (VDS): DMN3032LFDB-7的漏源耐压为30V，适合大多数低至中压的电子应用。
最大功率: 该MOSFET最大功率达到1W，为设计师在选择合适的开关元件时提供了灵活性，并满足较高的功率需求。
工作温度范围: 器件可在极端环境中稳定工作，温度范围为-55°C至150°C，确保在严苛的条件下仍能可靠运行。
输入电容 (Ciss): 在15V下，输入电容最大值为500pF。这一参数对于高频应用中的开关速度至关重要，低输入电容可增强开关特性，减少延迟。
栅极电荷 (Qg): 高达10.6nC的栅极电荷在10V的Vgs下，确保该器件在驱动时能够快速开启和关闭，提高了开关速度。
阈值电压 (Vgs(th)): 在250µA的条件下，Vgs(th) 最大值为2V，表明需要较低的栅极电压就可以开启该MOSFET，适合于低压控制电路。
应用领域
DMN3032LFDB-7广泛应用于如电源管理、负载开关、马达驱动、无线通信、消费类电子设备等多种场景。其高效率、低导通电阻和广泛的温度适应性使其成为便携式设备、家电、工业控制、汽车电子等多种应用的不二选择。
总结
作为一款出色的N通道MOSFET，DMN3032LFDB-7以其优良的电性能、宽广的工作温度范围和适应性，满足大多数设计需求。结合DIODES品牌的信誉，该器件将帮助设计工程师在其项目中实现更高的功率效率和更低的能耗，为现代电子产品的发展提供强有力的支持。在不断推进的电子技术改革中，DMN3032LFDB-7无疑是一个值得推荐的高效能选择。