DP0150BLP4-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DP0150BLP4-7

商品编码: BM0000034897
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 450mW 50V 100mA PNP X2-DFN1006-3
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.642
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.642
--
200+
¥0.414
--
1500+
¥0.36
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DP0150BLP4-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值450mW频率 - 跃迁80MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳3-XFDFN供应商器件封装X2-DFN1006-3

DP0150BLP4-7手册

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DP0150BLP4-7概述

DP0150BLP4-7 产品概述

概述

DP0150BLP4-7 是一款高性能的 NPN 型双极性晶体管 (BJT),该器件专为各种现代电子应用而设计,特别适用于低功耗和高频信号处理的场合。其出色的电流增益和饱和压降特性使其非常适合作为开关或放大器使用。作为一种表面贴装型晶体管,DP0150BLP4-7 的尺寸和封装设计使其在紧凑的电路板上使用非常方便。

基本参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大值 100mA,适用于中等功率的应用
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大50V,对于大多数低至中压应用来说是合适的
  • Vce 饱和压降:在 10mA 和 100mA 的条件下最大值为 300mV,能有效减少功耗并提高效率
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大 100nA,这表明该晶体管在关闭状态下具有良好的隔离能力
  • 直流电流增益 (hFE):在 2mA 和 6V 条件下,最小值为 200,提供良好的增益性能
  • 最大功率:450mW,适应多种功耗要求
  • 频率特性:跃迁频率达到 80MHz,使其能够支持较高频率的信号处理
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,广泛适用在苛刻的环境条件下

封装与安装

DP0150BLP4-7 采用 X2-DFN1006-3 封装,具有小尺寸和高密度集成的优点,特别适合现代电子产品中对空间和重量的严格要求。该表面贴装型封装允许快速而简便的安装,有助于提高生产效率和降低成本。封装设计确保了良好的热管理与散热性能,有助于提升晶体管的长期稳定性和可靠性。

应用领域

由于 DP0150BLP4-7 的优异性能指标,特别适合以下应用场合:

  1. 开关电路:适用于电源管理、LED驱动灯具以及其他需要快速开关的应用场景。
  2. 放大器电路:可用于音频放大电路、射频应用及其他需要信号放大的电子设备。
  3. 低功耗设备:在低功耗电子产品如可穿戴设备、便携式设备等上的广泛应用,因其高效能和低功耗特点。
  4. 工业自动化:在自动化及控制系统中充当信号放大器,确保系统的高可靠性和长寿命。

竞争优势

DP0150BLP4-7 所具备的高电流增益和低饱和电压使其在同类产品中具有竞争优势。此外,它的宽工作温度范围保证了其在各种环境条件下的优良表现。结合 DIODES(美台)品牌提供的技术支持和品质保障,DP0150BLP4-7 是设计师寻求创新和高性能解决方案的理想选择。

结论

总之,DP0150BLP4-7 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其高效的电流增益、低功耗和宽工作温度范围,在众多电电子应用中展现出优良的适用性。凭借其小巧的封装和可靠的性能,这款晶体管无疑是在现代电子设计中不可或缺的关键元件之一。选择 DP0150BLP4-7,将为您的项目带来卓越的表现与设计灵活性。