2DD2656-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2DD2656-7

商品编码: BM0000034894
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.015g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 30V 1A NPN SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.478
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.478
--
200+
¥0.308
--
1500+
¥0.268
--
3000+
¥0.237
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2DD2656-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)270 @ 100mA,2V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁270MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

2DD2656-7手册

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2DD2656-7概述

产品概述:2DD2656-7 NPN 晶体管

一、产品简介

2DD2656-7 是一款高性能的 NPN 晶体管,采用表面贴装(SMD)技术,封装类型为 SOT-323。这款晶体管特别设计用于开关和放大各种电子信号,具备高频操作和优良的电流增益性能,可以广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。由 DIODES(美台)制造,该产品以其卓越的性能和稳定性满足现代电子设备对小型化和高效率的要求。

二、主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 30V
  • 不同电流 (Ib, Ic) 时的 Vce 饱和压降: 在 25mA 和 500mA 时最大值分别为 350mV 和 500mV,表现出优秀的开关效率。
  • 最大集电极截止电流 (ICBO): 100nA,确保在不导通时功耗极低。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 100mA 和 2V 的条件下,最小值为 270,提供强大的信号放大能力。
  • 最大功率耗散: 300mW,适应多种工作条件和环境。
  • 跃迁频率: 270MHz,支持高速信号处理。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,适应严酷的工作环境,确保在极端条件下的可靠性。
  • 安装类型: 表面贴装类型 (SMD),便于自动化生产和紧凑型设计。
  • 封装形式: SOT-323,是一种小型而高效的封装选项。

三、应用领域

2DD2656-7 NPN 晶体管广泛应用于以下领域:

  1. 消费电子产品: 晶体管可用于电视、音响、数字相机等设备的音频放大和信号处理。
  2. 工业控制系统: 可作为各种传感器和执行器的驱动器,在自动控制和 industrial IoT 设备中发挥重要作用。
  3. 通信设备: 在手机、无线射频电路中,由于其高频性能,成为信号放大和开关的理想选择。
  4. 自动化设备: 通过提供稳定和高效的开关控制,改善机器的响应速度和能耗。

四、产品特点

  • 高增益与低饱和压降: 其 270 的直流电流增益和低饱和压降使其在开关电源和信号放大中的表现尤为优秀。
  • 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度使其在各种环境条件下皆保持稳定。
  • 高频特性: 270MHz 的跃迁频率使其能够高效处理快速变化的信号,是现代高频应用的重要选择。
  • 低功耗特性: 超低的集电极截止电流(100nA)极大降低了待机功耗,有助于延长电池寿命。
  • 小型封装: SOT-323 封装不仅节省空间,还提高了整个电路的集成度,使其适用于对空间要求严格的应用场景。

五、总结

2DD2656-7 NPN 晶体管以其出色的性能参数和广泛的应用潜力,成为市场上颇具竞争力的电子元器件之一。它不仅适合小型化设计,还有助于提升系统的整体效率和可靠性。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域,2DD2656-7 都能为客户提供出色的解决方案,成为各种设计中不可或缺的重要组件。