晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 300mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 3W | 频率 - 跃迁 | 140MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
FZT751QTA 是一款由 DIODES(美台公司)生产的高性能 PNP 型晶体管,适用于各种电子应用,如开关电源、信号放大、功率放大等。该晶体管具有出色的电压和电流承载能力,支持高频操作且在恶劣环境下仍能正常工作,成为电子工程师和设计师的理想选择。
FZT751QTA 特别适用于低电压、大电流应用场合,广泛用于以下几种应用:
FZT751QTA 的设计考虑了多种应用环境,其高功率和高电压承载能力,确保了在高负荷条件下的可靠性。而且,600mV 的饱和电压在 300mA 电流下表现良好,降低了功耗,帮助提高整体系统的能效,能够有效延长设备的使用寿命。
此外,140MHz 的跃迁频率使得其在高速信号应用中也能够保持稳定性和良好的信号完整性。这一特性尤其适合现代通信和数据传输系统中对高频响应的要求。
FZT751QTA 是一款兼具高性能和高可靠性的 PNP 晶体管,非常适合需要在苛刻环境下运行的多种电子应用。由于其卓越的电气特性和紧凑的封装形式,它不仅帮助工程师简化设计流程,还能提高产品的整体性能和可靠性。凭借 DIODES(美台公司)在半导体领域的丰富经验,该产品在市场上得到了广泛认可,成为许多电子设计项目的首选器件。对于追求高效、稳定与小型化解决方案的设计师而言,FZT751QTA 无疑是一个值得推荐的优质选择。