DSS2515M-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS2515M-7B

商品编码: BM0000034886
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 400mW 15V 500mA NPN DFN-3(1x0.6)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.736
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.736
--
100+
¥0.507
--
500+
¥0.461
--
2500+
¥0.427
--
5000+
¥0.399
--
10000+
¥0.373
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS2515M-7B参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)150 @ 100mA,2V频率 - 跃迁250MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳3-UFDFN供应商器件封装3-X1DFN1006
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)15V
功率 - 最大值250mW基本产品编号DSS2515M

DSS2515M-7B手册

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DSS2515M-7B概述

产品概述:DSS2515M-7B

DSS2515M-7B是由Diodes Incorporated制造的一款高性能NPN型双极性晶体管(BJT),封装类型为3-UFDFN,具有出色的电气特性和工作可靠性,使其适合广泛的电子应用场景。其设计和规格旨在满足现代电子设备对高频、高效能和小型化的需求。

主要规格

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 封装: 3-UFDFN(X1-DFN1006-3)
  • 零件状态: 有源
  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce(max)): 15V
  • 功率最大值: 250mW
  • 饱和压降(Vce(sat)): 250mV @ 50mA,500mA
  • DC电流增益 (hFE): 最小值150 @ 100mA,2V
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值100nA
  • 频率 - 跃迁: 250MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装

应用领域

DSS2515M-7B适合多个领域的应用,包括但不限于:

  1. 消费电子: 适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑、和其他便携式设备,其小型封装与高效能相结合,能够提升整体电路的性能。
  2. 通信设备: 由于其高频特性(250MHz),此NPN晶体管非常适合用于RF放大器和调制解调器,有助于信号的高效传输。
  3. 工业控制: 由于宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),DSS2515M-7B能够在严酷的环境条件下稳定工作,适用于工业自动化和控制系统。
  4. LED驱动: 其良好的电流增益使得该晶体管能够有效驱动高功率LED,广泛应用于照明设备和显示技术。

性能优势

  • 低饱和压降: DSS2515M-7B在高电流操作下(如500mA)表现出低饱和压降(最高仅250mV),这使得其在功耗管理上具有显著优势,尤其是在需要高效率的应用中。
  • 高集电极电流承载能力: 能够承载高达500mA的集电极电流,使得它能够在复杂电路中提供良好的性能支持。
  • 优异的增益特性: 具有优良的DC电流增益,不同应用场景下都可以提供高效的信号放大能力。
  • 低集电极截止电流: 理想的高频性能和低截止电流,使得在切换操作与待机状态下都能保持高效性能。

结论

DSS2515M-7B是一款性能卓越、可靠性高的NPN晶体管,结合了小型化封装和先进的电气性能,适用于广泛的现代电子应用。其低功耗、高增益及宽广的工作温度范围,使得它成为设计工程师在开发新的电子产品时的理想选择。通过利用这一组件,工程师可以有效提升产品的整体性能,满足市场对高效、节能和小型化产品的需求。