DMP3105LVT-7
DMP3105LVT-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 839pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.15W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP3105LVT-7手册
DMP3105LVT-7概述
产品概述：DMP3105LVT-7
一、产品基本信息
DMP3105LVT-7 是由 DIODES（美台）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应管），采用 TSOT-23-6 封装，适用于各种电子电路中，满足高效能和高功率处理的需求。该 MOSFET 的关键参数包括最大漏源电压 30V、连续漏极电流 3.1A，以及出色的导通电阻性能，使其在多种应用场景中表现卓越。
二、主要特性
FET 类型与技术：DMP3105LVT-7 是一款 P 通道 MOSFET，采用金属氧化物半导体技术，具有较好的导电性和开关性能。
电气规格：
- 漏源电压 (Vdss)：最大 30V，适合低电压驱动应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在额定温度下可持续输出 3.1A，能够满足多种中等功率需求。
- 导通电阻 (Rds On)：在 Vgs=10V 情况下，最大导通电阻为 75 毫欧（在 4.2A 电流条件下），确保低功耗、高效率的性能。
阈值电压 (Vgs(th))：在 1.5V 时达到最大阈值电流 250µA，这意味着该 MOSFET 能够在较低的栅极驱动电压下启动，提升了电路的灵活性。
栅极电荷 (Qg)：在 Vgs=10V 时测得的最大栅极电荷为 19.8nC，表明在开关操作中提供了较快的响应时间，有助于提高开关效率，特别适用于高频应用。
输入电容 (Ciss)：在 Vds=15V 条件下输入电容最大值为 839pF，确保了在开关状态下的良好信号完整性。
工作温度范围：其工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适合于更广泛的工业和军事应用环境。
功率耗散：在额定温度下最大功率耗散为 1.15W，能有效避免因过热导致的性能下降。
封装：DMP3105LVT-7 使用 TSOT-23-6 封装，尺寸小巧，适合于空间有限的电路板设计，特别是移动设备和便携式电子产品。
三、应用领域
DMP3105LVT-7 广泛应用于以下领域：
- 电源管理：通过实现高效开关，提升电源转换的效率，适合应用于 DC-DC 转换器、开关电源等。
- 负载开关：在负载开关应用中，DMP3105LVT-7 可用于控制电源的开关，提供更好的控制与保护。
- 汽车电子：其高温工作能力使其适用于汽车电子设备，比如电动助力转向系统和电池管理系统。
- 消费电子：在手机、平板电脑等消费类电子产品中应用，可以有效降低功耗，增加电池续航。
四、总结
DMP3105LVT-7 是一款优质的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，成为许多现代电子设备中不可或缺的组成部分。它的灵活性和高效能使其适用于多种应用场景，帮助设计师在不同的需求中实现最佳解决方案，对推动电子产品技术进步起到了重要作用。