制造商 | Diodes Incorporated | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
类型 | 齐纳 | 电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) |
电压 - 击穿(最小值) | 5.5V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 5V(标准) |
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) | 功率 - 峰值脉冲 | 30W |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
不同频率时电容 | 0.5pF @ 1MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 10-UFDFN |
供应商器件封装 | U-DFN2510-10 | 单向通道 | 4 |
D3V3F4U10LP-7 产品概述
D3V3F4U10LP-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能瞬态抑制二极管,专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准。此型号的二极管具有多个优良特性,适用于各种对瞬态电压抑制要求严格的电子设备,尤其是在汽车电子系统中。其设计考虑了极端的工作环境,确保产品在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定运行,这使得它特别适合在严苛条件下的使用。
D3V3F4U10LP-7 提供了多个关键电气参数,使其成为理想的瞬态电压抑制解决方案。其典型的反向断态电压为3.3V,达到最大值5.5V时则确保了在大多数应用场景中的可靠性和稳妥性。当出现快速瞬态电压脉冲(如浪涌或电压尖峰)时,该二极管的电压箝位最大值为5V,这对于保护敏感的下游电子模块至关重要。此外,此产品具备高达5A的峰值脉冲电流承载能力(在10/1000µs条件下),以及可达30W的峰值脉冲功率,为高能量瞬态干扰提供了有效的保护。
D3V3F4U10LP-7 采用了小型且高效的10-UFDFN封装(U-DFN2510-10),非常适合现代汽车电子系统中空间有限的应用。这款表面贴装型(SMT)封装在组装过程中可以降低空间占用,同时也便于在自动化生产线上的高效焊接。
该二极管在高频率下的表现同样显著,其在1MHz频率下的电容值仅为0.5pF,表明其在高频应用中具有良好的信号完整性。这一特性使其适合应用于高速数据线路的瞬态抑制,如汽车网络通讯和电子控制单元(ECU)系统。
鉴于 D3V3F4U10LP-7 在瞬态保护方面的卓越性能,它在车辆电子设备、汽车充电器、LED 照明、传感器和控制模块等多种汽车应用中都表现出色。实际上,该产品在车辆内部和车辆间的通信系统的抗干扰保护中也起到了核心作用,这在今天越来越智能化的汽车技术(例如自动驾驶和电动汽车)中尤为重要。
D3V3F4U10LP-7 显示了 Diodes Incorporated 在设计和制造高可靠性瞬态抑制二极管方面的领先地位。凭借其优良的电气特性、适应恶劣环境的能力及紧凑的封装设计,这款二极管为汽车电子系统的安全和性能提供了强有力的保障。无论是在传统燃油汽车还是现代电动车中,D3V3F4U10LP-7 都是实现高效瞬态电压抑制的理想选择,为电子设计工程师和汽车制造商提供了极大的便利和信心。