AOD442G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD442G

商品编码: BM69419917
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.2W;60W 60V 13A;40A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
587(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.3
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.3
--
100+
¥2.53
--
1250+
¥2.2
--
2500+
¥2.08
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD442G参数

功率(Pd)60W反向传输电容(Crss@Vds)115pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@4.5V,40A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@4.5V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.92nF连续漏极电流(Id)40A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA

AOD442G手册

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AOD442G概述

AOD442G 产品概述

一、概述

AOD442G 是 AOS(Advanced Optoelectronic Technology Co., Ltd.)公司推出的一款高效能 N 沟道场效应管(MOSFET),以其卓越的电性能和可靠性,广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC 转换器及其他高效率电路设计。其主要特点包括额定电压为 60V、额定电流为 13A、最大脉冲电流可达 40A,适合各类低压和中压应用。

二、主要参数

  1. 封装形式: TO-252 (DPAK)
  2. 最大额定功耗: 6.2W
  3. 最大漏极-源极电压 (VDS): 60V
  4. 最大漏极电流 (ID): 13A
  5. 脉冲电流 (IDM): 40A
  6. 门极阈值电压 (VGS): 2-4V
  7. RDS(on): 34mΩ(典型值)

以上参数使得 AOD442G 在电源转换过程中具备低导通电阻和高效的热管理能力,能够在较高的负载条件下稳定工作。

三、应用领域

AOD442G 主要被应用于以下几种场景:

  1. 开关电源: 由于其高效的导通电阻和快速开关特性,AOD442G 可以有效提高开关电源的转换效率,降低能量损耗,适合用于各种电源管理电路中。

  2. DC-DC 转换器: 在 DC-DC 转换器中,AOD442G 能作为开关元件使用,尤其在要求高效能和高负载能力的场合表现尤为突出。

  3. 电机驱动控制: 适合用于直流电机或步进电机驱动电路中,能够提供高电流支持,同时具备良好的热稳定性,提高电机的工作效率。

  4. 电池管理系统: 在锂电池管理和充电设备中,AOD442G 的低制动损耗使得其成为理想选择,能有效管理电池的充放电过程。

四、设计优势

  1. 低导通电阻: AOD442G 的低 RDS(on) 值使其在开启状态下具有极小的功耗,帮助系统有效减少热量产生。

  2. 高脉冲电流能力: 高达 40A 的脉冲电流能力使得 AOD442G 能够在瞬态负载条件下稳定工作,满足快速变化负载的需求。

  3. 优异的热性能: TO-252 封装提供良好的散热能力,能够在高温环境下保持稳定性能,适合各种严苛工作环境。

  4. 简化的驱动电路: AOD442G 的门极阈值电压较低,使得其可以通过简单的驱动电路实现快速切换,降低了设计的复杂度。

五、总结

AOD442G 作为一款高效能 N 沟道 MOSFET,不仅具备高电流、高电压的工作能力,而且在其应用场合中展现出良好的散热性和快速响应特性。凭借其低导通电阻和高脉冲电流的优势,AOD442G 被广泛应用于电源转化、开关电源、DC-DC 转换器及电机驱动等众多领域,推动了电子产品向着更高效率、更低能耗的方向发展。该产品的推出,为工程师们在构建高效能电路时提供了更多的设计选择与便利,促进了现代电子产品的迭代与升级。