制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 75 毫欧 @ 3A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 615mW(Ta),7.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 180pF @ 20V |
PMV60ENEAR是一款高性能的N通道MOSFET,专为汽车和其他对可靠性和环境适应性要求严格的应用而设计。该元件由Nexperia USA Inc.制造,符合AEC-Q101标准,确保其在严苛的工作环境下的稳定性和可靠性。这款MOSFET具有优秀的电气特性和较宽的工作温度范围,适合高效能电源管理和负载开关等应用。
PMV60ENEAR适用于多个领域,包括但不限于:
PMV60ENEAR是一款集高效能、可靠性和灵活性于一身的N通道MOSFET,适合用于多种工业和汽车电子应用。其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围使其在激烈竞争的市场中脱颖而出,是设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、负载开关,还是汽车电子组件中,PMV60ENEAR都将为用户提供卓越的性能和可靠的支持。