注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STD80N3LL
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-252
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 75W 30V 120A 1个N沟道 DPAK(TO-252)
库存 :
2103(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
2.15按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.15
--
100+
￥1.65
--
1250+
￥1.44
--
2500+
￥1.36
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD80N3LL参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1640pF @ 25V |
| 基本产品编号 | STD80 |
STD80N3LL手册
无数据
STD80N3LL概述
产品概述：STD80N3LL MOSFET（N通道）
一、产品简介
STD80N3LL是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由STMicroelectronics（意法半导体）制造。它采用表面贴装型（SMD）TO-252（DPAK）封装，旨在满足各种功率电子应用的需求。该产品的设计注重高效能、高可靠性及宽工作温度范围，适合于电源管理、工业控制及自动化等领域。
二、关键技术参数
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时，STD80N3LL的连续漏极电流可达到80A，确保其在高负载情况下的稳定性。
- 最大漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为30V，使其适用于低至中等电压的应用。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V栅源电压下，其导通电阻达到最小值5.2毫欧，优化了电流流动效率，减少了功耗。
- 栅极驱动电压（Vgs）：提供了4.5V和10V的驱动电压选项，使其兼容多种驱动电路。
- 选定工作温度范围：STD80N3LL的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适应极端环境下的工作需求。
- 器件功率耗散：最大功率耗散为75W（在接合温度Tc下），保证了在长时间工作下的稳定性和安全性。
三、性能优势
STD80N3LL在多种运行条件下提供出色的性能，主要优势包括：
高效率和低能耗：其低导通电阻特性使得在信号传输和开关操作中，能有效降低功率损耗，提高整体系统的能效。
快速开关能力：低栅极电荷(Qg)特性（18nC @ 4.5V）确保了快速开关速率，适合高频应用。
良好的热管理：高功率耗散能力和宽温度工作范围使其能够在各种恶劣环境下表现出色，适合用于新能源汽车、工业电机驱动、开关电源等场合。
卓越的可靠性：在电源系统中，长期高压工作条件下，STD80N3LL的可靠性也经过严格验证，提供稳定的电气性能和长生命周期。
四、应用领域
由于其出色的技术规格和性能，STD80N3LL适用于广泛的应用，包括但不限于：
- 开关电源：用作高效的开关MOSFET，以实现功率转换优化。
- 电机驱动：在电动机控制中作为功率开关，提高电机驱动系统的效率和响应速度。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力车中的动力管理单元、充电器和车辆控制模块中应用。
- 自动化与工业控制：在各类工业设备中，作为开关元件处理负载控制与电源分配。
五、总结
综上所述，STD80N3LL是一款功能强大、性能卓越的N通道MOSFET，其合理的电气性能和优异的热稳定性使其在多种应用中成为理想选择。凭借STMicroelectronics的制造背景和广泛的应用支持，STD80N3LL在现代电子产品中展现出强大的市场价值。对于需要高效能与稳定性的电源管理解决方案，STD80N3LL无疑是开发者的重要选择。