SI2393DS-T1-GE3
SI2393DS-T1-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A（Ta），7.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22.7毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | +16V，-20V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 980pF @ 15V | 基本产品编号 | SI2393 |
SI2393DS-T1-GE3手册
SI2393DS-T1-GE3概述
SI2393DS-T1-GE3 产品概述
SI2393DS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司推出的一款P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其属于TrenchFET® Gen IV系列。这款器件以其高效的性能和卓越的热管理特性，广泛应用于各种现代电子设计中。
1. 基本参数
SI2393DS-T1-GE3采用了小型化的SOT-23-3封装，便于在紧凑的电路板上进行表面贴装。这种封装形式不仅提升了产品的热管理能力，还有效降低了寄生电容，从而改善了高频特性的表现。其额定功率耗散为1.3W（在环境温度为25°C时），并在结温较高的情况下（即集热条件下）可达2.5W。
2. 电气特性
该MOSFET在25°C温度下的连续漏极电流分别为6.1A（在环境温度下Ta）和7.5A（在结温Tc条件下）。SI2393DS-T1-GE3的漏源电压（Vdss）为30V，最大驱动电压分别可为4.5V和10V。这一特性使得其在低压高电流的应用场合具有优秀的适应性，尤其适合用于电源开关和电机控制等场合。
其导通电阻（Rds(on)）在不同的栅极源电压（Vgs）下表现出优异的性能：在5A电流和10V的Vgs下，最大导通电阻为22.7毫欧。这确保了在正常工作条件下，器件能保持较低的电能损耗，提高了效率。
3. 栅极特性
SI2393DS-T1-GE3的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.2V（在250µA的条件下测试），相对较低的阈值电压使得其能够在较低的电压下进行开关操作，进一步降低了开关损耗。其最大栅极电压可达±16V，能够支持更广泛的驱动电压范围。
栅极电荷（Qg）为25.2nC（在10V的条件下），它是影响开关频率的重要参数。较低的栅极电荷意味着在高频操作时，该MOSFET具有更快速的开关能力和良好的响应时间，从而有助于提升整体系统效率。
4. 应用场景
SI2393DS-T1-GE3以其卓越的性能和高可靠性，广泛应用于各种领域，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 智能电源管理
- LED驱动
- 电机控制
- 开关电源（SMPS）
- 负载开关设计
特别是在需要高效率和低热量发散的应用中，SI2393DS-T1-GE3能够提供理想的解决方案。
5. 环境与耐受性
该产品具备宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，确保在恶劣环境下的可靠工作。在多个行业的应用条件下，这一温度稳定性为产品的长期运行提供了保障。
小结
总之，SI2393DS-T1-GE3是一个高效、低损耗的P沟道MOSFET，适合各种电子应用，特别是在严苛环境和高频操作的需求下，更显其独特优势。Vishay Siliconix的此款产品凭借卓越的电气特性和可靠性，成为了工程师和设计师进行电源管理与控制设计时的重要选择。