功率(Pd) | 36.7W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF | 连续漏极电流(Id) | 60A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AP4024GEMT 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由APEC(富鼎电气)制造,封装形式为QFN5x6,具有出色的热性能和电流承载能力。这款MOSFET的额定功率为36.7W,电压极限为30V,最大电流可达到60A,适用于各种高效能的电源管理和控制电路中。
高电流承载能力:AP4024GEMT 最大的60A电流承载能力使其适用于高负载应用,能够满足需要高电流驱动的设备需求,如电动机控制、开关电源、PWM驱动等。
宽电压范围:其30V的额定电压使得该MOSFET能够在多个应用场景中灵活使用,适用于低压和中压电源转换系统,充分满足大部分消费和工业电子产品的需求。
小型化封装:QFN5x6封装设计,不仅在占用空间上表现出色,还提供了良好的散热性能,有助于提高系统的整体效率和可靠性,非常适合便携式和空间受限的应用。
低导通电阻:AP4024GEMT 的导通电阻(R_DS(on))极低,这意味着在开启状态下,MOSFET将消耗更少的功率,降低发热量,从而提高系统整体效率,延长产品的使用寿命。
良好的开关特性:该产品具有快速的开关响应时间,适合高频开关应用,可以有效缩短开关损耗,提高整体效率。
由于其出色的电气性能和热性能,AP4024GEMT 被广泛应用于以下领域:
DC-DC转换器:在各种电源管理模块中选择AP4024GEMT,能够提升转换效率,尤其适用于大功率的DC-DC转换应用,满足不断增长的能效要求。
电动机驱动:适合于驱动直流电动机,尤其是在工业自动化、家用电器和电动车辆中的应用。其高电流承载能力可满足电动机启动和运行的瞬时高负载需求。
LED驱动电路:在LED照明应用中,AP4024GEMT能够提供稳定的电流控制,确保LED以最佳的状态运行,从而提高亮度和减少发热。
通信设备:在数据通信和网络设备中,AP4024GEMT可作为开关元件,用于高效的电源分配和管理,改进信号完整性和系统稳定性。
消费电子:如电视机、游戏机、个人计算器等,既可以用于电源模块中,也可以作为信号放大、开关控制等设计的关键元件。
AP4024GEMT N沟道MOSFET 是一款在电流承载能力、低导通电阻和快速开关特性上均表现优异的电子元器件。它的应用广泛,适合各类高效能电子设备。选择AP4024GEMT,能够为设计师提供更高的开发灵活性与系统稳定性,并有效提升产品的市场竞争力。
总而言之,AP4024GEMT 代表了现代MOSFET技术的一项重要进展,是提升电子设计性能与效率的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是消费电子产品中,它都能够发挥重要作用。