驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 35V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A | 输入类型 | 非反相 |
上升/下降时间(典型值) | 7.5ns,6.5ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
IXDN602SIATR 是一款高效的低端栅极驱动器,专为支持各种功率转换应用而设计。该驱动器采用了表面贴装型 SOIC-8 封装,便于在紧凑的电子电路中集成与安装。作为一个双通道的 gate driver,IXDN602SIATR 可以同时驱动两个独立式的 MOSFET 或 IGBT,这使其在功率管理、电机驱动、开关电源等应用中表现出色。
IXDN602SIATR 的工作电压范围为 4.5V 到 35V,满足多种工业电路的供电需求。其逻辑电平输入 (VIL 和 VIH) 为 0.8V 和 3V,使得这种驱动器与大多数逻辑电路兼容,能够轻松与微控制器或数字信号处理器配合工作。支持 2A 的峰值输出电流 (同时支持灌入和拉出),使得其能够迅速充放电与驱动外部器件,降低开关损耗,从而提高了整体电路的效率。
该产品的上升和下降时间分别为 7.5ns 和 6.5ns,这意味着 IXDN602SIATR 能够在高频操作时有效地降低电容效应引起的延迟,确保开关动作快速、准确。这对需要高响应速率的应用(如逆变器、电源转换器和电机控制)尤为重要。
IXDN602SIATR 具有 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,确保在恶劣的环境条件下依然保持良好的性能。这使得该驱动器非常适合于航空航天、汽车及工业自动化等领域,这些领域通常要求电子元件在极端温度下仍需稳定运行。
该驱动器采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154"(3.90mm 宽),其紧凑的设计使得 IXDN602SIATR 容易集成到各种电路板设计中。采用表面贴装技术(SMT),不仅提高了可靠性,还有助于提升生产效率与降低整体组装成本。
IXDN602SIATR 的应用范围极其广泛,包括但不限于:
同时,该器件的灵活性和高性能使其成为众多电力电子应用中的理想选择。
总体而言,IXDN602SIATR 是一款应用广泛的低端栅极驱动器,其卓越的性能参数与广泛的工作环境兼容性,确保其能在各种电源管理和驱动应用中发挥出色的作用。凭借其高效的开关转换性能和耐用性,IXDN602SIATR 是寻求可靠解决方案的设计工程师们的优选器件。无论是在高频运作中依然能保持低延迟,还是在恶劣的环境条件下确保稳定工作,IXDN602SIATR 都能够胜任高需求的电子应用。