功率(Pd) | 80W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 68pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@4.5V,65A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@20V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.99nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 130A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
NCEP40T13GU是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由新洁能(NCE)公司生产,专为高效能电子应用而设计。该元件具备80W功率、40V的耐压能力和130A的负载电流,使用DFN-8(4.9x5.8)封装。这种特性使得该MOSFET在多种电子电路中广泛应用,尤其是在需要高电流和高频率的电源管理、电机控制和开关电源等领域。
NCEP40T13GU广泛应用于包括但不限于以下几个领域:
NCEP40T13GU的设计考虑了高效能、可靠性与热管理。在高速开关时,其较低的导通电阻(RDS(on))可减少能量损耗,从而有效提升效率;同时,其具备较强的热导性和散热设计,降低了元件在高负载下的温升,延长了使用寿命。此外,MOSFET具备较好的抗干扰能力,使其能在不同的工作环境中保持稳定的性能。
在选择NCEP40T13GU时,用户需注意以下几点:
NCEP40T13GU是一款优秀的N沟道MOSFET,凭借其高功率处理能力和出色的电流承载能力,为各类电源供电、开关控制和电机驱动等应用提供了坚实的技术支持。作为新洁能的核心产品之一,NCEP40T13GU在市场上展现出良好的性能和可靠性,是设计师和工程师在选择高纵深场效应管时的优秀选择。无论是在工业、消费电子还是汽车电子中,其广泛的适应性和优越的性能都使其成为了理想的电子元器件解决方案。