NCE30P50G

NCE30P50G 产品概述

概要

NCE30P50G 是由新洁能（NCE）公司生产的一款高性能场效应管（MOSFET），属于P沟道类型。该器件以其出色的电气特性和广泛的应用场景，成为电力电子领域中的重要组件。

基础参数

• 功率（Pd）: 35W
• 反向传输电容（Crss@Vds）: 665pF
• 商品分类: 场效应管（MOSFET）
• 导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）: 7mΩ @ 10V, 10A
• 工作温度: -55℃ ~ +150℃
• 栅极电荷（Qg@Vgs）: 84nC @ 15V
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 类型: 1个P沟道
• 输入电容（Ciss@Vds）: 3.59nF @ 15V
• 连续漏极电流（Id）: 50A
• 阈值电压（Vgs(th)@Id）: 1.5V @ 250uA

封装和尺寸

NCE30P50G 采用 PDFN-8（5.8x4.9）封装，DFN5x6-EP 尺寸。这一小型化的封装设计使得该器件在空间有限的应用场景中具有更好的适应性和集成度。

电气特性

导通电阻（RDS(on)）

NCE30P50G 的导通电阻为 7mΩ @ 10V, 10A，这表明在正常工作条件下，器件的能耗较低，效率较高。这种低导通电阻使得它特别适合于高频、高功率的应用，如电源转换、电机驱动等。

栅极电荷（Qg）

栅极电荷为 84nC @ 15V，这一参数对于评估器件的开关性能非常重要。较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。

输入电容（Ciss）

输入电容为 3.59nF @ 15V，这一参数影响到器件的输入阻抗和开关特性。在高频应用中，低输入电容可以减少开关时的能量损耗。

阈值电压（Vgs(th)）

阈值电压为 1.5V @ 250uA，这意味着当栅极与源极之间的电压达到这一阈值时，器件开始导通。较低的阈值电压使得控制更加灵活和便捷。

工作温度范围

NCE30P50G 的工作温度范围为 -55℃ ~ +150℃，这使得它能够在极端环境下稳定运行，适用于各种工业、汽车和消费电子产品。

应用场景

电源转换

由于其低导通电阻和快速开关特性，NCE30P50G 非常适合用于高效率的电源转换应用，如DC-DC转换器、逆变器等。

电机驱动

在电机驱动系统中，NCE30P50G 可以提供高效的能量传递和快速的开关控制，提高系统的整体效率和可靠性。

汽车电子

该器件的宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车电子系统中的理想选择，例如在启动系统、照明系统和其他高性能应用中。

消费电子

在消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑等，NCE30P50G 可以用于功率管理模块，提供高效能量传递和节能功能。

总结

NCE30P50G 是一款性能优异的P沟道场效应管，通过其低导通电阻、快速开关特性和宽工作温度范围，广泛应用于电源转换、电机驱动、汽车电子以及消费电子等领域。其小型化的封装设计进一步增强了其在空间有限应用场景中的适用性。对于需要高效能量传递和可靠控制的系统，NCE30P50G 是一个值得考虑的选择。