NCE60P25K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE60P25K

商品编码: BM69419653
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 90W 60V 25A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1345(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.53
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.53
--
100+
¥1.18
--
1250+
¥0.991
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE60P25K参数

功率(Pd)90W反向传输电容(Crss@Vds)272pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)46nC@30V
漏源电压(Vdss)60V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.43nF@30V连续漏极电流(Id)25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@250uA

NCE60P25K手册

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NCE60P25K概述

NCE60P25K 产品概述

NCE60P25K 是由新洁能(NCE)公司生产的一款高性能的 P 型场效应管(MOSFET),被广泛应用于电源管理、开关电路和功率控制等领域。作为一款具有90W功率承载能力、60V电压耐受性和25A电流处理能力的MOSFET,该产品以其卓越的电气性能和可靠性在众多应用中表现出色。

产品规格

  • 型号:NCE60P25K
  • 类型:P沟道 MOSFET
  • 最大功率:90W
  • 最大漏极-源极电压(VDS):60V
  • 最大漏极电流(ID):25A
  • 封装形式:TO-252-2(DPAK)

工作原理

MOSFET 是一种电压控制式的半导体器件,使用场效应原则来控制机械开关的开启与关闭。对于 P 型 MOSFET,如 NCE60P25K,电流流动的主要载流子是孔(holes),它的开启和关闭是通过控制门极(Gate)电压来实现的。当门极施加负电压时,器件导通;当施加零电压或正电压时,器件截止。因此,这种特性使得 NCE60P25K 在低功耗控制和开关电路中显示出极大的优势。

应用场景

由于其优越的电气性能,NCE60P25K 在多个领域都有广泛应用,包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS):在各种电子设备中,开关电源是至关重要的组成部分。NCE60P25K 能够快速响应和切换,提高电源转换的效率,从而在电源管理中扮演重要角色。

  2. 电机驱动:在直流电机、步进电机等驱动应用中,使用 NCE60P25K 可以有效控制电流变化, 实现精确的速度和方向控制。

  3. LED 驱动:在 LED 照明系统中,MOSFET 可用作开关器件,以调节电流,达到最佳的亮度和能效。

  4. 线性稳压器和负载开关:对于需要稳定电压输出的应用,NCE60P25K 可以作为线性稳压器的关键元件,也可以在负载开关中实现有效的电源管理。

电气特性

NCE60P25K 的一些关键信息和特点如下:

  • 低导通电阻:较低的 RDS(on)(漏极-源极导通电阻)使得在导通状态下的功率损耗减小,进而提升了整体功率效率。

  • 高开关速度:该型号 MOSFET 具备快速的开关特性,这对于提高开关电源的效率和动态响应能力至关重要。

  • 散热性能:TO-252封装提供了良好的散热能力,使得该元器件在高电流工作状态下依然保持在安全的工作温度范围内。

结论

总之,NCE60P25K 是一款高效、可靠的 P 型 MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,为工程师和设计师提供了理想的解决方案。无论是在开关电源、马达驱动、电源管理还是在 LED 照明等领域,NCE60P25K 都是一个非常优秀的选择。这款 MOSFET 的设计理念和制造工艺确保了其卓越的性能与稳定性,使其成为现代电子设计不可或缺的元器件之一。