GT40QR21(STA1,E,D 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

GT40QR21(STA1,E,D

商品编码: BM69419645
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
TO-3PN-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
IGBT管/模块 GT40QR21(STA1,E,D TO-3P-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
10.05
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.05
--
100+
¥8.73
--
750+
¥7.94
--
1500+
¥7.64
--
3000+
¥7.35
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

GT40QR21(STA1,E,D参数

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GT40QR21(STA1,E,D手册

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GT40QR21(STA1,E,D概述

GT40QR21(STA1,E,D) 产品概述

一、产品简介

GT40QR21是东芝(Toshiba)公司推出的一款绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于其优质功率半导体产品系列。该器件采用TO-3PN-3封装,为功率电子设备提供了高功率转换效率和良好的热管理性能。IGBT是一种结合了MOSFET和BJT特性的电子元件,因而在电力电子领域得到了广泛应用。

二、主要特性

  1. 高电流承载能力:GT40QR21具有高达40A的持续集电极电流,这使其适合用于高功率电流应用中,比如逆变器和变频器等设备。

  2. 高电压耐受性:最大的集电极-发射极电压(V_CE)可以达到1200V,使其在高压场合下表现出色,能够良好应对电网波动和过电压情况。

  3. 快速开关速度:GT40QR21具备较快的开关特性,能够在较短的时间内实现电流的ON/OFF转换,这对于高频率开关应用非常重要,可以有效降低开关损耗,提高系统效率。

  4. 优越的热性能:TO-3PN-3封装设计通过增强散热能力,降低了工作温度,提升了器件在长时间运行环境下的可靠性。

  5. 良好的抗电磁干扰能力:IGBT设备在工作中表现出较好的电磁兼容性,适用于对EMI要求较高的应用领域。

三、应用领域

GT40QR21的设计使其在多种应用领域表现优异,主要包括:

  1. 变频器:广泛应用于工业电机控制、风机及泵控系统中,能够高效控制电动机的速度。

  2. 逆变器:适合用在太阳能发电、风能发电等可再生能源领域,将直流电转化为交流电,方便接入电网。

  3. 电力传输:在高压直流输电(HVDC)系统中,GT40QR21可以用于开关操作,以实现高效的电能传输。

  4. 电焊机:在电弧焊接设备中提供所需的高电流支持,确保焊接过程的质量与稳定性。

  5. 消费电子:比如电动工具及家电中的电源调节和功率控制,能够提升产品的使用效率。

四、性能参数

  • 封装类型:TO-3PN-3
  • 最大集电极电压 (V_CE):1200V
  • 最大集电极电流 (I_C):40A
  • 开关损耗 (E_sw):在特定条件下,开关损耗表现优越。
  • 最高工作温度 (T_j):150°C,Wide operating temperature range further enhances its usability in demanding applications.

五、结论

GT40QR21(STA1,E,D)是东芝公司在IGBT领域的杰出代表,凭借其高电流承载能力、高电压耐受性,以及良好的热性能,广泛应用于电力电子行业的多种场景。无论是在可再生能源的转换中,还是工业电机的控制应用中,GT40QR21均能够提供稳定且高效的性能。对于追求高功率转换效率和可靠性的电子设计师而言,GT40QR21无疑是一个值得信赖的选择。在快速发展的电力电子技术背景下,GT40QR21将继续为各类应用提供强有力的支持,助推更多创新解决方案的实现。