通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 3750Vrms |
电流传输比(最小值) | 300% @ 5mA | 电流传输比(最大值) | 600% @ 5mA |
上升/下降时间(典型值) | 4µs,3µs | 输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 80V |
电流 - 输出/通道 | 50mA | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.2V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 50mA | Vce 饱和压降(最大) | 200mV |
工作温度 | -55°C ~ 100°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 4-SMD,鸥翼 |
IS181D 是一款高性能的晶体管输出光耦合器,专为工业自动化、通信和电子设备等应用领域设计。其核心特点是优异的电气隔离性能和高效的信号传输能力,使其在多种应用中成为理想的选择。
高电压隔离: IS181D 提供高达 3750Vrms 的电压隔离能力,确保设备在高电压环境下的安全运行。这一特性使得该光耦能够有效阻挡电网噪声和瞬态电压,保护后端电路免受损害。
优越的电流传输比: 该器件的电流传输比(CTR)表现出色,最小值为 300%(@ 5mA),最大值可达 600%(@ 5mA)。这意味着即使在较低的输入电流条件下,IS181D 也能够输出较大的负载电流,适用于多种负载驱动应用。
快速响应时间: IS181D 的上升时间和下降时间分别为 4µs 和 3µs,显示了其在快速信号传输下的高效性能。这使得该器件非常适合于高频率信号隔离应用,例如脉冲信号的传输。
宽工作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 100°C,体现了 IS181D 在严苛环境下的可靠性和稳定性。这一特点使得其适用于恶劣的工业环境及需要高温工作的应用场景。
低饱和压降与正向电压: IS181D 的 Vce 饱和压降最大为 200mV,而正向电压 Vf(典型值)为 1.2V,这意味着在输出过程中器件损耗小,能效高,适合高效能要求的电路设计。
便捷的安装与封装: IS181D 采用 SOP-4 封装,表面贴装设计(SMD),使其易于在自动化设备中进行贴装和集成,便于批量生产和组装。
IS181D 光耦合器适用于多种应用场景,主要包括但不限于:
IS181D 是一款性能优越、应用广泛的晶体管输出光耦合器。其高隔离电压、高电流传输比和快速响应特性,使其在各种严苛的工业和商业环境中表现卓越。在选择光耦合器时,IS181D 以其优异的性能和可靠性,成为众多工程师和设计师的理想选择。无论是在信号隔离、控制系统等应用中,IS181D 都能提供卓越的性能和可靠的保护,确保系统的安全与稳定运行。