功率(Pd) | 25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 52mΩ@10V,8A |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.8nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 530pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 17A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
AP9565BGH 是由富鼎(APEC)公司制造的一款高性能场效应管(MOSFET),其主要特征包括额定功率为 25W、耐压为 40V 和驱动电流高达 17A。这款 P 沟道 MOSFET 采用 TO-252 封装技术,旨在满足各种功率管理应用的需求,在电源转换、开关电源、以及电机驱动等领域中具有广泛的使用潜力。
AP9565BGH 的高性能特性使其特别适用于以下几个领域:
AP9565BGH 的设计使其在多种应用中表现出色,以下是其几项性能优势:
AP9565BGH 作为一款高效、可靠的 P 沟道 MOSFET,不仅能够满足当今电子设备日益增长的性能要求,还能在多种应用场景中展现出色的表现。其在电源管理和电机驱动等领域的适用性,结合优良的热性能和开关特性,使其成为设计工程师和开发人员的理想选择。通过选用 AP9565BGH,用户能够构建更高效、可靠且灵活的电子系统,从而在激烈的市场竞争中保持优势。