AOTF7N70L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOTF7N70L

商品编码: BM69419560
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO220F
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.73
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.73
--
100+
¥3.79
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOTF7N70L参数

功率(Pd)198W反向传输电容(Crss@Vds)10pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,3.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
漏源电压(Vdss)700V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.175nF@25V连续漏极电流(Id)7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA

AOTF7N70L手册

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AOTF7N70L概述

AOTF7N70L 产品概述

一、产品概述

AOTF7N70L是由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司生产的一款高性能N沟道MOSFET,采用TO-220F封装。该器件设计用于高功率应用,具有出色的电流承载能力、低导通电阻和高击穿电压,使其适合于各种开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等应用场景。其高效能和可靠性使其成为现代电子设计中一个非常重要的元件。

二、主要特性

  1. 低导通电阻:AOTF7N70L的导通电阻(R_DS(on))非常低,这意味着在开关操作中,它能显著减少功率损耗。这使得该MOSFET在高频应用中更具效率,尤其是在开关模式电源和电动车驱动系统等。

  2. 高耐压特性:该器件能够承受高达700V的击穿电压,这为设计提供了更大的灵活性和安全裕度。高耐压特性使其在高压电源和工业控制系统中应用广泛。

  3. 优秀的热性能:TO-220F封装设计不仅提供了良好的电气性能,同时也具备优秀的散热能力。AOTF7N70L能够在较高的环境温度下仍持续提供稳定的性能,适合于高温及高功率的工作条件。

  4. 开关速度快:该器件具有较快的开关速度,能有效降低开关损耗,尤其适合高频应用。这使得麻烦得以简化,电路设计者能够实现更高的开关频率来提升系统效率。

三、应用领域

AOTF7N70L适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):它的低导通电阻和高开关速度非常适合用作主开关、反向回路和谐振电路中的功率元件。

  • 直流-直流转换器:广泛应用于电源模块和电池管理系统(BMS),能够有效地提高转换效率。

  • 电机驱动:使用在DRM(直流无刷电机驱动)及步进电机控制中,提供高电流输出和精细控制能力。

  • 逆变器和整流器:在可再生能源系统和UPS(不间断电源)中,AOTF7N70L可以作为高效的整流器元件,提升系统的整体效率与可靠性。

四、技术参数

  • 最大漏极-源极电压(V_DS):700V
  • 最大漏极电流(I_D):7A
  • 导通电阻(R_DS(on)):通常在数十毫欧范围内,具体值依赖于不同的工作条件。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适合于多种工作环境。

五、总结

AOTF7N70L MOSFET凭借其优异的电气特性和可靠的散热能力,成为现代电源设计和控制电路中的优选元件。无论是在高效开关电源、高频转换器还是电机驱动应用中,其出色的性能使其能够满足快速发展的市场需求。无论是工业应用还是消费电子产品,它都能够为系统提供更高的效率和可靠性,确保在激烈的市场竞争中脱颖而出。设计工程师可以利用AOTF7N70L的优势,优化他们的电源设计,提升整体应用的性能和可持续性。