功率(Pd) | 59.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@400V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,3A |
工作温度 | -40℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 16.4nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 700V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 517pF@400V | 连续漏极电流(Id) | 7.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@0.15mA |
IPD70R360P7S 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的 N 沟道场效应管(MOSFET),其目标是满足高效能和高可靠性应用的需求。这款MOSFET的最大额定功率为59.4W,能够承受的高压为700V,最大电流可达12.5A。它采用 PG-TO252-3 封装,适应于各种智能电子应用,特别是在高功率驱动和开关电源等领域表现出色。
高额定电压和电流:IPD70R360P7S 具备700V的额定最大电压,这使得它在高电压应用中非常可靠。同时,提供的12.5A的额定最大电流,使其在需要高电流驱动的场景中更加出色。
低导通电阻:MOSFET的导通电阻通常与功耗密切相关。IPD70R360P7S 的低导通电阻特性使其在运行期间能保持低发热量,这对于提高电路效率至关重要。
快速开关特性:该MOSFET具有较快的开关速度,能够在高频率条件下稳定工作,因此非常适合于开关电源、逆变器和电动机驱动等高频应用场景。
高功率密度:得益于优越的热管理特性和封装设计,IPD70R360P7S 在较小的空间内提供出色的功率输出能力。这使得设计人员可以在更紧凑的电路中集成更多功能。
可靠性和耐用性:英飞凌一贯注重产品的稳定性和可靠性。该MOSFET 在极端操作条件下依然能够保持良好的工作状态,适合在恶劣环境下应用。
IPD70R360P7S 的特性使其广泛应用于以下场景:
开关电源:广泛用于图形卡、电源模块与适配器等对高性能和可靠性有需求的开关电源设计中。
电动机驱动:适合用于驱动各种电动机,包括工业电动机和家用电器中的直流电动机和交流电动机。
逆变器:在太阳能逆变器和电动汽车逆变器中,以及其它需要DC-AC转换的设备中,IPD70R360P7S提供稳定高效的功率。
电源管理:在不同类型的电源管理模块中,作为关键的开关元件、同步整流器等,以优化电源的驱动性能。
采用 PG-TO252-3 封装的 IPD70R360P7S,具备小型化特性且易于PCB板焊接。紧凑的封装设计不仅减小了占板空间,还提高了散热效率,从而提升了整体系统的性能。这种封装形式满足了现代电子设备对空间利用率和散热性能的严格要求。
综上所述,IPD70R360P7S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其700V的高电压承受能力、12.5A 的输出电流、低导通电阻和快速开关特性,适用于开关电源、逆变器及电动机驱动等多种应用场景。其优秀的热管理性能和封装设计使其在电子产品中占据了一席之地,是设计师在选择高效能电源控制元件时的理想选择。对于高效、低功耗及高可靠性有要求的现代应用,IPD70R360P7S 无疑是一个值得信赖的解决方案。