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MT47H64M16NF-25E IT:M 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MT47H64M16NF-25E IT:M

商品编码: BM69419481
品牌 : 
micron(镁光)
封装 : 
84-FBGA(8x12.5)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA Tray
库存 :
45(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
12.5
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.5
--
100+
¥11.9
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

MT47H64M16NF-25E IT:M参数

存储器类型易失存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR2存储容量1Gb (64M x 16)
存储器接口并联时钟频率400MHz
写周期时间 - 字,页15ns访问时间400ps
电压 - 供电1.7V ~ 1.9V工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型表面贴装型封装/外壳84-TFBGA
供应商器件封装84-FBGA(8x12.5)

MT47H64M16NF-25E IT:M手册

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MT47H64M16NF-25E IT:M概述

产品概述:MT47H64M16NF-25E IT:M

一、产品基本信息

MT47H64M16NF-25E IT:M 是一款由镁光科技(Micron Technology)生产的高性能双倍数据率动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)。该存储器器件属于易失性存储类型,集成了64M x 16的存储单元,提供高达1Gbit的存储容量。其主要应用于各类计算机和电子设备中,尤其是在需要快速存取和高带宽数据处理的场合。

二、技术规格

  • 存储器类型: 易失性(Volatile)
  • 存储器格式: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 1Gb (64M x 16)
  • 存储器接口: 串行接口
  • 时钟频率: 400MHz
  • 写周期时间 - 字,页: 15ns
  • 访问时间: 400ps
  • 供电电压: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度范围: -40°C ~ 95°C
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装类型: 84-Pin FBGA (8x12.5 mm)

三、产品特点

  1. 高性能: MT47H64M16NF-25E IT:M DDR2 SDRAM以其高达400MHz的时钟频率和15ns的写周期时间,能够快速处理大容量数据,是高性能计算的理想选择。

  2. 节能设计: 该器件的供电电压范围为1.7V至1.9V,相较于传统DDR存储器而言,在同等性能下大大降低了功耗,适合用于便携式和低功耗设备。

  3. 可靠性: 本产品具备宽广的工作温度范围,从-40°C至95°C,确保其在多种环境条件下均能稳定工作,适用于工业、汽车电子和其他严苛应用领域。

  4. 高集成度: 84-FBGA封装设计不仅提高了产品的集成度,还降低了外部电路的复杂性,有助于缩小设备体积。

  5. 易于集成: 表面贴装型的安装设计,使得MT47H64M16NF-25E IT:M能够方便地集成到各种电路板中,并且适用于自动化的制造过程。

四、应用场景

MT47H64M16NF-25E IT:M 主要应用于下列领域:

  1. 计算机和服务器: 用于DDR2 SDRAM内存模块,支持高性能计算和多任务处理。

  2. 嵌入式系统: 在嵌入式应用中提供快速内存解决方案,例如在工业控制、交通运输和医疗设备中广泛应用。

  3. 网络设备: 适用于路由器、交换机和防火墙等网络设备,提供高带宽的数据缓存。

  4. 消费电子: 作为消费电子产品(如数字电视、游戏机和媒体播放器)中的内存组件,提供流畅的多媒体体验。

  5. 汽车电子: 这款存储器能在高温和极端环境下保持稳定工作,适合用于汽车信息娱乐系统及其他汽车电子设备。

五、总结

MT47H64M16NF-25E IT:M 是一款体现了高性能和高可靠性特征的DDR2 SDRAM存储器。其优异的电气特性和良好的可集成性,使其成为满足不同电子产品高效能需求的理想选择。随着技术的进步和应用的广泛,该产品在未来的存储解决方案中将继续发挥重要作用。通过选用镁光的MT47H64M16NF-25E IT:M,设计工程师可以在成本、性能与可靠性之间取得良好的平衡,为最终产品的成功奠定基础。