存储器格式 | 闪存 | 存储容量 | 4Mb (512K x 8) |
电压 - 供电 | 1.65V ~ 1.95V | 写周期时间 - 字,页 | 1ms |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 104MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) |
技术 | FLASH - NOR | 存储器类型 | 非易失 |
IS25WQ040-JNLE是由美国芯成公司(ISSI)推出的一款高性能闪存存储器,采用NOR FLASH技术,具有4Mbit(即512K x 8)的存储容量。这款存储器广泛应用于各类电子设备,因其稳定性和高效的性能而备受青睐。IS25WQ040-JNLE具有低功耗和高速读写特性,适用于要求严格的物联网(IoT)、消费电子、工业控制等领域。
高性能: IS25WQ040-JNLE在读写速度上表现出色,1ms的写周期使其在当前市场中的闪存产品中具备竞争优势,适合实时处理和高频数据交互的应用。
低功耗设计: 该产品的供电电压范围为1.65V至1.95V,相较于传统存储器降低了功耗,进一步提高了电池供电设备的续航能力。此外,低功耗特性在移动设备和嵌入式系统中表现尤为突出。
稳定性与可靠性: IS25WQ040-JNLE采用NOR FLASH结构,在数据保持性和写入次数方面优于很多同类产品。在严格的工作温度范围内,可以有效防止数据丢失,确保系统的稳定性。
通用性与兼容性: 配备SPI接口,使得IS25WQ040-JNLE能够与各类微控制器(MCU)和FPGA进行兼容,为系统设计提供了极大的灵活性,适应多种应用需求。
IS25WQ040-JNLE广泛应用于各类电子产品,尤其是在以下几个领域中展现出其核心竞争力:
IS25WQ040-JNLE凭借其优异的性能、低功耗设计及可靠的工作温度范围,成为现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。随着物联网和智能设备的快速发展,它的应用前景愈发广阔,适合设计者选择用于新一代的电子产品中。无论是高性能消费电子,还是严苛环境下的工业控制,IS25WQ040-JNLE都能够提供卓越的解决方案,满足市场对高可靠性和高性能存储器的需求。