不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1mA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 110pF @ 4V,1MHz |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 600mV @ 1A |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V | 反向恢复时间 (trr) | 10ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C | 安装类型 | 通孔 |
二极管类型 | 肖特基 | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
1N5819-TP 是一款由MCC(美微科)制造的肖特基二极管,其最大反向电压(Vr)为40V,平均整流电流(Io)可达到1A,具有快速恢复特性和低正向电压(Vf)。该器件采用DO-41封装,适合通孔安装,既方便了不同设计平台的集成,又确保了良好的热管理性能。
反向泄漏电流
在40V的反向电压下,反向泄漏电流为1mA,展示出其在高压条件下的低泄漏特性,这对电源管理和高效率电路至关重要。
电容特性
在4V和1MHz的条件下,1N5819-TP的电容为110pF,这是影响高频性能的重要参数,尤其在开关电源和RF电路中,该特性能够保证信号的稳定传输。
正向电压(Vf)
在1A的正向电流下,Vf为600mV,这意味着该二极管在整流过程中会产生较小的功率损耗,适合用于高效率的电源设计。
快速恢复特性
该二极管的反向恢复时间(trr)为10ns,该特性使得1N5819-TP非常适合快速开关应用,如开关电源和反向保护电路。
工作温度范围
该器件可在-55°C到125°C的广泛温度范围内工作,适应于恶劣环境下的应用,使其成为工业和汽车领域的优选元件。
安装类型
通孔安装(THT)使得该器件可以方便地应用在各种PCB设计中,并能在高性能、高功率的应用中有效地管理热量。
1N5819-TP的特点使其非常适合于各种电子应用,包括但不限于:
1N5819-TP是一款性能优越的肖特基二极管,适合多种应用场景。其低正向电压、快速恢复时间和多样的工作环境能力,使其成为电子设计工程师在电源管理、整流及保护电路中理想的选择。凭借其可靠性和良好的热性能,1N5819-TP将为高效电子设备提供必要的支持。
通过选择1N5819-TP,设计人员能够显著提高其电路的效率和稳定性,从而在竞争激烈的市场中获得设计优势。