IRF2804PBF
IRF2804PBF参数
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6450pF @ 25V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 安装类型 | 通孔 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 240nC @ 10V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
IRF2804PBF手册
IRF2804PBF概述
IRF2804PBF 产品概述
一、产品简介
IRF2804PBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的高级 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装形式为 TO-220AB。这款 MOSFET 的主要特点包括高功率承受能力、低导通电阻和优异的热管理性能，适合广泛的电源和电机驱动应用。
二、主要参数
驱动电压 IRF2804PBF 的驱动电压范围在 10V 之内，能够在此电压下实现最大导通电阻（Rds On）。该 MOSFET 在 10V 驱动条件下，可以提供优异的开关性能和热稳定性。
输入电容 在不同漏源电压（Vds）条件下，其最大输入电容（Ciss）为 6450pF @ 25V，表明在切换过程中，与其他器件相比，具备较高的开关速度和低的驱动损耗。这使得 IRF2804PBF 特别适用于高频开关应用。
栅源电压（Vgs） 最大栅源电压（Vgs）可达到 ±20V，这一特性使得其在驱动电路和控制电路中具有灵活性，可以兼容多种控制信号。
工作温度与功率耗散 IRF2804PBF 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，确保了其在极端工作环境下的可靠性。其最大功率耗散能力可达到 300W（Tc），适合高功率应用并能有效降低热积累的问题。
连续漏极电流（Id） 本器件的连续漏极电流在 25°C 时可达到 75A（Tc），这使其在需要高电流驱动的应用中表现出色。
导通电阻（Rds On） 该 MOSFET 的导通电阻（Rds On）在 10V 和 75A 下的最大值为 2.3 毫欧，低导通电阻有效减少了在功率传输过程中的能量损耗，提升了整个系统的能效。
栅极电荷（Qg） 在 10V 时，该器件的栅极电荷 Qg 为 240nC，表明其驱动需求较低，适合低功率驱动器，能够进一步提高开关频率而不过度占用系统资源。
阈值电压（Vgs(th)） 在 250µA 下，Vgs(th) 的最大值为 4V，使电路设计者能够精确控制开关的导通与关断。
三、应用领域
IRF2804PBF MOSFET 适用于多种应用场景，包括：
- 高效电源管理：广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等场合，能够有效提供稳定的电压输出。
- 电动机驱动：由于其高效的电流承载能力和较低的导通损耗，该 MOSFET 在电动机控制领域表现卓越，满足各种电机控制方案的需求。
- 功率放大器：适合在射频应用和其他高频需要高效率的用途，能够减小电路体积并提升功率输出。
- 汽车电子：其宽广的工作温度范围使其尤为适合在遭受恶劣环境影响的汽车电子系统中使用，例如电动助力转向和车载电源管理系统。
四、总结
IRF2804PBF N 通道 MOSFET 以其优越的性能参数和广泛的应用范围，成为工程师和设计师在高功率电子电路设计中不可或缺的元件。其理念是提供高能效、低能耗的解决方案，助力各类技术的快速发展与应用创新。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，IRF2804PBF 都将有力支持设计者实现更高效的电源管理和控制效果，推动科技的前进和应用的变革。