FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 790mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 欧姆 @ 470mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.2nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 140pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3.1W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
IRFL214TRPBF 是一款由知名厂商 VISHAY(威世)生产的 N 通道 MOSFET,这款器件专为高效能开关和放大应用设计,具有卓越的电气性能和可靠性。其典型应用可涵盖各种电子电路,例如电源管理、马达驱动和照明控制等领域。
IRFL214TRPBF 的高电压和中等电流能力使其在许多应用中表现出色,包括但不限于:
IRFL214TRPBF 在设计中兼顾了多种电气性能,是一款以其多功能性和高效能而著称的 MOSFET:
IRFL214TRPBF 是一款综合性能突出的 N 通道 MOSFET,适用于广泛的应用场景。凭借其杰出的电压承受能力、低导通电阻和精巧的封装设计,这款器件为工程师提供了极大的设计灵活性和可靠性。从电源管理到马达控制,IRFL214TRPBF 的出色表现使得它在竞争激烈的市场中脱颖而出,是您电子设计中的理想选择。