类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 13.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 23.7V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5.9A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 140W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 30pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-923 | 供应商器件封装 | SOD-923 |
ESD9X12ST5G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能齐纳二极管,专门设计用于电磁干扰(EMI)和静电放电(ESD)保护。该器件采用SOD-923-2封装,适合表面贴装(SMD)应用,广泛应用于各种电子电路中,以防止因静电或其他瞬态电压造成的损害。
ESD9X12ST5G 的反向断态电压(V_R)为最大12V,击穿电压(V_B)最小为13.5V。这使得该器件在对电子组件进行保护时,在电压达到击穿点时能够有效地将过压力限制在其工作范围内,保护下游元件不会因过电压而损坏。
此外,ESD9X12ST5G 在不同峰值脉冲电流(I_pp)时的电压箝位(V_CL)最大可达23.7V,满足对突发电压瞬态事件的应对能力。它的峰值脉冲电流能力为5.9A(在10/1000µs时)和8/20µs时,这表明它能够在瞬态干扰事件期间承受高达140W的峰值功率。
ESD9X12ST5G 的静态特性使其成为一种通用的保护元件,适用于多个领域。在各种频率下,该器件的电容值为30pF @ 1MHz,这表明其在高频应用中具有良好的信号传输能力及低失真特性。这一特性使其不仅可以用于电压保护,还可以在高速数字或者模拟信号传输中,保证信号的完整性。
此外,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适合在极端环境条件下的应用,确保其在相关应用中的可靠性。
ESD9X12ST5G 通常被使用在各种消费电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子系统中。在这些领域中,静电放电可能导致设备故障或者数据丢失,因此对ESD防护器件的需求十分迫切。
例如,ESD9X12ST5G 可以有效保护手机、平板电脑、笔记本电脑、打印机等移动设备免受静电放电的影响。此外,它也适用于汽车中对信息娱乐系统、电源管理模块和传感器的保护。
使用 ESD9X12ST5G 确保了设计的高效性和可靠性。首先,其小巧的SOD-923封装使得它易于集成到紧凑型电路板中,而表面贴装类型的设计也方便了自动化生产。此外,安森美作为知名的半导体制造商,提供的优质产品及技术支持,使得用户在设计过程中可以获得更好的体验。
总结来说,ESD9X12ST5G 是一款值得信赖的静电保护齐纳二极管,凭借其优良的电气特性和宽广的应用场景,成为现代电子设备设计中的重要组成部分。其在处理瞬态电压及保护电路方面的强大能力,使得它成为了设计师们在进行电路设计时的理想选择。无论是在消费电子还是工业应用中,ESD9X12ST5G 的可靠性和表现将为用户提供长久的保护,降低潜在风险,保障设备的稳定运行。