制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F(SOT-416FL) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW |
制造商背景 DTA015TEBTL 是由日本罗姆半导体(Rohm Semiconductor)制造的一款高性能数字晶体管,广泛应用于各种电子设备中。罗姆半导体成立于1958年,以其创新的高端电子元器件而闻名,尤其是在半导体领域。DTA015TEBTL 继承了罗姆一贯的高品质和可靠性,适用于多个工业和消费电子应用。
产品特性 DTA015TEBTL 是一款预偏压 (PNP) 结构的表面贴装晶体管,采用 SC-89(SOT-490)封装,兼容 EMT3F(SOT-416FL)标准,尺寸小巧,有助于节省板上空间。该器件具有多个显著的电气特性来满足现代电子设计的需求。它能承受最大电流集电极 (Ic) 为 100mA,在电压方面最大集射极击穿电压 (Vce) 为 50V。这使得 DTA015TEBTL 在处理中等电流和电压的应用时颇具优势。
在直流电流增益方面,DTA015TEBTL 在 5mA 的集电极电流下能够提供至少 100 的电流增益 (hFE),这意味着它可以有效地放大信号。此外,该器件在偏置电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 分别为 250µA 和 5mA 时,显示出 Vce 饱和压降的最大值为 250mV。这一特性对于设计功耗敏感型电路至关重要,因为较低的压降可以降低功耗并提高电源转换效率。
电流截止特性 DTA015TEBTL 确保在最大集电极截止电流 (ICBO) 达到 500nA,这一指标对于高性能应用至关重要,尤其在需要高线性度和低噪声的模拟电路中。它的低截止电流特性也意味着该晶体管在待机模式下,能显著降低功耗,为电池供电的设备提供更长的使用寿命。
频率响应与功率处理 该产品的频率跃迁特性为 250MHz,适用于高频信号的处理。在现代通信和数据处理应用中,能够支持较高频率的晶体管是必要条件。DTA015TEBTL 的最大功率消耗为 150mW,使其能够在多种工作条件下稳定运行,而不易发生过热或失效。
应用场景 DTA015TEBTL 在反向电流放大、开关电路、恒流源、信号调理和音频放大等领域广泛应用。它适合用于需要高增益和低功耗特性的信号调理电路,特别是在便携设备、消费电子和自动化设备中。
此外,由于 DTA015TEBTL 的小型封装以及良好的频率特性,极大地方便了在小型电路板上的布局与设计,减小了电路的整体尺寸,提高了设计的灵活性。
总结 综上所述,DTA015TEBTL 是一款功能强大、多功能的PNP数字晶体管,凭借其高增益、多种电流及电压处理能力,适用于多种电子应用。其出色的电气特性使其在现代电子产品中成为理想选择,以满足各种设计需求和市场趋势。无论在低功耗应用还是高频信号处理领域,这款晶体管均展现出卓越的性能,是设计师值得信赖的选择。