UT6MA3TCR

产品概述：UT6MA3TCR

一、基本信息

UT6MA3TCR 是一款高性能的功率场效应管（MOSFET），专为低电压高电流应用设计。这款产品包含一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET，具有优异的导通特性和低导通电阻，适用于多种电子电路。UT6MA3TCR 采用 6-PowerUDFN 封装，符合现代表面贴装技术（SMT）要求，适合大规模生产和高可靠性应用。

二、主要规格

1. FET 类型：UT6MA3TCR 包含一个 N 沟道和一个 P 沟道的场效应管，能有效支持不同电路需求。

2. 漏源电压（Vdss）：最大漏源电压为 20V，适合于中低压应用，能够满足大多数电源管理和开关电路的要求。

3. 电流：

   • 连续漏极电流（Id）：N 沟道最大达到 5.5A，而 P 沟道为 5A，确保了在持续负载下的稳定运行。

4. 导通电阻（Rds(on)）：

   • 在 5A、4.5V 条件下，最大导通电阻为 42mΩ，并在 5.5A 时降至 30mΩ，确保了低损耗和高效能。

5. Vgs(th)：门源阈值电压（Vgs(th)）在 1mA 时的最大值为 1.5V，提供良好的开关特性。

6. 栅极电荷（Qg）：在 4.5V 的条件下，最大栅极电荷为 6.5nC，意味着在开关操作时，驱动电路的负担较小。

7. 输入电容（Ciss）：在 10V 条件下，Ciss 的最大值为 460pF，降低了开关损耗并改善了频率响应。

8. 功率承受能力：UT6MA3TCR 的最大功率是 2W，能够满足大多数应用场景的需求。

9. 工作温度范围：该产品的工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，适合各种极端环境。

10. 封装类型：ROHM 采用 DFN2020-8D 封装，尺寸小巧，适合高密度电路板设计。

三、应用场景

UT6MA3TCR 的设计非常适合以下应用：

• 电源管理：如 DC-DC 转换器，提供高效率的电源转换，并且在过载或短路的情况下有很好的保护性能。

• 开关电路：可用于各种开关电路中，帮助在负载与电源之间实现快速的开关操作。

• 电机控制：在小型无刷电机驱动中，UT6MA3TCR 能够高效地控制功率输送，从而增加电机的响应速度和效率。

• LED 驱动：在高亮度 LED 照明系统中，用作电流开关，能够有效调节 LED 的亮度，同时避免过驱动而导致的热损伤。

四、竞争优势

• 低导通电阻：UT6MA3TCR 的低 Rds(on) 值显著降低了电流通过时的功耗，提高了整体系统的能效。

• 宽工作温度范围：能够在多种极端环境下工作，扩展了其应用范围。

• 紧凑封装：DFN2020-8D 封装不仅小巧，还提供了良好的热管理性能，方便集成到各种电路板上。

• 可靠性高：ROHM 作为知名品牌，UT6MA3TCR 在制造过程中严格遵循质量控制标准，确保产品的高可靠性。

五、总结

UT6MA3TCR 是一款高效率、高可靠性的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，适用于多种低电压高电流的电子应用。其卓越的电气性能和稳定性使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。选择 UT6MA3TCR，将为您的设计带来更好的性能和更加稳定的运行。