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STP10NK60Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 115W 600V 10A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.73按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.73
--
100+
￥3.79
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP10NK60Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP10NK60Z手册
无数据
STP10NK60Z概述
STP10NK60Z 产品概述
一、产品基本信息
STP10NK60Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款 N 通道 MOSFET（金属氧化物场效应管），其具有极高的技术指标，主要用于电源管理、开关电源、充电器、以及其他需要高效率和高电压的应用场景。作为一款强大的功率器件，STP10NK60Z 拥有 600V 的漏源电压（Vdss）和 10A 的最大连续漏极电流（Id），适合用于各种高压、大电流的电路中。
二、关键规格
漏源电压 (Vdss): 600V
- STP10NK60Z 的额定漏源电压可达到 600V，这使得它可以在高压环境下稳定工作，满足许多工业应用的需求。
连续漏极电流 (Id): 10A
- 在 25°C 的环境温度下，STP10NK60Z 允许最大 10A 的漏极电流，适用于负载较大的电路设计。
导通电阻 (Rds(on)): 最大 750 毫欧 @ 10V 和 4.5A
- 该 MOSFET 的导通电阻表现出色，能够在保证有效传导的同时，降低功耗，提高整体电路效率。
栅极工作电压 (Vgs): ±30V
- STP10NK60Z 的栅极电压范围广泛，支持灵活的驱动电路设计。
输入电容 (Ciss): 最大 1370pF @ 25V
- 较大的输入电容在高频应用中表现良好，确保快速开关而不会引起过大的信号延迟。
功率耗散: 最大 115W（Tc）
- STP10NK60Z 可在温度控制（Tc）条件下，支持高达 115W 的功率耗散，进一步提升了其在功率应用中的可靠性。
工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 该器件适应恶劣环境的能力使其广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域。
三、封装与安装
STP10NK60Z 采用TO-220-3封装，便于通孔安装，适合在需要散热的应用中使用。TO-220封装不仅有助于增强器件散热性能，还便于与其他电路元件实现良好的物理连接。
四、应用领域
STP10NK60Z 的广泛应用包括但不限于：
- 开关电源：高电压、大电流的开关电源设计中，STP10NK60Z 凭借其出色的导通电阻和高效的性能，提升了电源的工作效率。
- 电机驱动：作为电机驱动电路中的开关元器件，它能够有效控制电流，提升电机运行效率。
- 电池管理系统：在电池充放电管理中，STP10NK60Z 通过优化导通电阻，降低系统的功耗，提升电池使用寿命。
- 汽车电子：应对高压环境需求，STP10NK60Z 适用于汽车动力系统及电子控制单元（ECU）。
五、总结
STP10NK60Z 作为意法半导体推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其高耐压、高电流以及低导通电阻的优良特性，适用于多种高效能电路设计。其卓越的热管理能力和广泛的工作温度范围使其在各种苛刻的应用环境中表现突出，成为工程师们在高功率设计中的理想选择。无论是在工业自动化、电池管理还是汽车电子领域，STP10NK60Z 都是值得信赖的功率管理解决方案。