安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 12A |
栅极电荷 | 21.2nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,6A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 24A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 40µJ(开),136µJ(关) |
测试条件 | 400V,6A,22 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 88W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 12ns/86ns | 反向恢复时间 (trr) | 140ns |
STGP6M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用沟槽型结构,具有650V的集射极击穿电压(Vces),最大集电极电流(Ic)为12A,适合在各种中高功率应用中使用。该产品在功率转换、驱动电机、开关电源及其它需要高效电源转换的领域展现出良好的性能。
电流特性
电压性能
开关特性
关闭特性
环境适应性
安装和封装
最大功率
STGP6M65DF2 IGBT 在以下领域有广泛的应用:
电机驱动控制
开关电源
电力电子设备
电动车及混合动力汽车
STGP6M65DF2 IGBT 凭借其优秀的电压耐受性、快速的开关特性以及良好的热管理能力,成为中高功率电子应用中一个不可或缺的重要元件。意法半导体在该器件中运用了先进的技术,能够满足现代电子设备对高效率和可靠性的严格要求,不仅适用于工业应用,还能在汽车电子及可再生能源等领域展现出巨大潜力。选择 STGP6M65DF2,用户可以得到一款具有高性能和极强适应性的IGBT,有助于提升整体系统的运行效率和可靠性。