FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 550 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 62nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1400pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 150W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP340PBF 是一款高性能的N沟道MOSFET,隶属于VISHAY(威世)品牌,具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该MOSFET采用TO-247-3封装,能够满足高功率和高电压应用的需求。其主要参数包括最高漏源电压(Vdss)为400V,最大瞬时电流(Id)为11A,以及最大功率耗散能力为150W,使其成为电力电子应用中的理想选择。
漏源电压(Vdss):IRFP340PBF的漏源电压为400V,意味着它可以在高电压环境中稳定工作,非常适合用于高压开关电源、逆变器和电机驱动等应用。
连续漏极电流(Id):在25°C下,IRFP340PBF的连续漏极电流为11A(Tc),使其能够支持高功率传输,同时在较高的商用应用中保持良好的性能。
导通电阻(Rds On):对于6.6A,10V的驱动电压,导通电阻的最大值达550毫欧。这一特性意味着在流过MOSFET时会产生较小的功耗,从而提高系统效率,减少热量生成。
栅极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为4V(@250µA),确保其在控制电路中可以高效开关,保障高效脉冲驱动的实现。
栅极电荷(Qg):在10V下,最大栅极电荷为62nC,这一特性使得IRFP340PBF能够快速反应,适合于快速开关应用。
输入电容(Ciss):在25V下的输入电容最大值为1400pF,使得该MOSFET在高速开关操作时,相对较低的输入电容有助于实现快速的上升和下降时间。
工作温度范围:IRFP340PBF的工作温度范围为-55°C至150°C,扩展了其适用环境,让它可以在不同的工业场合中灵活应用。
IRFP340PBF因其高电压、高电流与稳健性能,广泛应用于以下领域:
该MOSFET采用TO-247-3封装,这种封装方式适合于通孔安装,能够提供较好的散热性能,适合高功率应用中的热管理需求。TO-247封装的设计使得IRFP340PBF能在紧凑的空间中进行高效散热,确保器件在高负载下的可靠工作。
IRFP340PBF是一款设计优秀、性能卓越的N沟道MOSFET,因其高功率和高电压能力,使其在电力电子领域中具有重要的应用前景。无论是工业设备、电源转换器,还是电动汽车,IRFP340PBF都能够提供稳定的性能和高效的工作状态,是推动现代电力电子技术进步的理想标杆。