SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SIRA54DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由全球知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件专为高效能电源管理和开关应用而设计，具有优异的电气性能和热管理特性，适用于广泛的消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

主要参数

SIRA54DP-T1-GE3 的关键电气参数包括：

• 工作电压 (Vdss)：最高可承受漏源电压为 40V，使其可用于多种中等电压应用场合。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的工作环境中，器件最大可承受 60A 的连续漏极电流（Tc）。
• 导通电阻 (Rds On)：在 10V 的栅极驱动电压下，器件在 15A 时的导通电阻最大值为 2.35 毫欧，这表明其在导通状态下具有极低的电阻，极大降低了功耗和热损耗。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 的漏电流下，栅极阈值电压的最大值为 2.3V，这对于栅极驱动的设计考虑是非常有利的。
• 驱动电压：支持的最大栅极驱动电压为 +20V，最小为 -16V，为电路设计提供了灵活性，能够适应不同的控制信号。

关键特性

• 输入电容 (Ciss)：在 20V 时，输入电容的最大值为 5300pF，对于高速开关应用尤其重要，低输入电容意味着可以实现更高的切换频率。
• 栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 的栅极驱动电压下，栅极电荷最大值为 48nC，低栅极电荷特性使得该器件在频繁开关的条件下，能有效提升开关效率。
• 功耗：器件的最大功耗为 36.7W（Tc），为高功率应用提供了良好的热管理能力，确保器件在高负载下的稳定运行。
• 工作温度：工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其能够在严酷环境下稳定工作。

封装与安装

SIRA54DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，具有紧凑的外形和良好的散热性能，便于集成到各种电路设计中。此封装形式不仅节省了电路板空间，同时也提高了元器件的散热效率，适合现代电子设备对小型化和高效散热的要求。

应用领域

由于其突出的性能，SIRA54DP-T1-GE3 可广泛应用于以下领域：

• DC-DC 转换器：用于现代开关电源和电池管理系统。
• 电机驱动：适用于电动机控制和驱动电路，特别是在功率较大的场合。
• 消费电子：如电脑电源、手机充电器等高能效应用。
• 汽车电子：适合于电动汽车和传统汽车的电力系统管理。

结论

作为一款高效能 N 通道 MOSFET，SIRA54DP-T1-GE3 在性能和温度控制方面表现出色，完全满足现代电子电气设计的需求。凭借其低导通电阻、高电流承受能力以及广泛的工作温度范围，使其在多种应用场合下展现出优越的性能，是业界设计工程师的理想选择。