制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 1W(Ta) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-CPH |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 262pF @ 20V |
基本产品编号 | CPH335 |
CPH3351-TL-W 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),专为要求高效率以及高信号完整性的应用而设计。这款元件以其紧凑的 SOT-23-3 封装形式,提供了业内竞争力的电流承受能力和电源管理能力,使其成为各类电子电路中不可或缺的关键组件。
CPH3351-TL-W 的主要技术参数包括:
这些参数使得 CPH3351-TL-W 适用于多种工业和消费类电子应用。
该 MOSFET 的额定电流为连续漏极电流 (Id) 为 1.8A,这意味着它可以承载较大电流而不会出现过热现象。其在 25°C 的环境下,最大导通电阻 (Rds On) 为 250 毫欧,这在实际应用中可以有效减少能量损耗,提高系统整体效率。
CPH3351-TL-W 的泄漏源电压 (Vdss) 达到 60V,适合使用在中高压电路中。尤其在电源管理及负载开关应用中,这一特性尤为重要。它的驱动电压在 4V 至 10V 之间,最大栅极源电压 (Vgs) 为 ±20V,提供了更大的灵活性以适应不同的控制信号。
基于 CP3351-TL-W 的电气特性,它可以广泛应用于多种场景,包括但不限于:
CPH3351-TL-W 是一款集成了多种高端特性的 P 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气性能和广泛的应用适用性,为电子工程师们提供了一个理想的解决方案。无论是用于电源管理、负载开关,还是数据通信领域,该 MOSFET 都能够保证系统的高效运行和良好的控制能力。ON Semiconductor 作为质量保证的制造商,为用户提供了稳定可靠的产品,为电子设备的开发和应用注入了强劲动力。