CPH3351-TL-W 产品实物图片
CPH3351-TL-W 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CPH3351-TL-W

商品编码: BM69419270
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1W 60V 1.8A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.93
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.93
--
100+
¥1.55
--
750+
¥1.38
--
1500+
¥1.31
--
3000+
¥1.24
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

CPH3351-TL-W参数

制造商ON Semiconductor包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)250 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)1W(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装3-CPH
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3漏源电压(Vdss)60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)262pF @ 20V
基本产品编号CPH335

CPH3351-TL-W手册

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CPH3351-TL-W概述

CPH3351-TL-W 产品概述

引言

CPH3351-TL-W 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),专为要求高效率以及高信号完整性的应用而设计。这款元件以其紧凑的 SOT-23-3 封装形式,提供了业内竞争力的电流承受能力和电源管理能力,使其成为各类电子电路中不可或缺的关键组件。

基本参数

CPH3351-TL-W 的主要技术参数包括:

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 封装形式: SOT-23-3
  • 零件状态: 有源
  • FET 类型: P 通道
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 最大功率耗散: 1W

这些参数使得 CPH3351-TL-W 适用于多种工业和消费类电子应用。

电气性能

该 MOSFET 的额定电流为连续漏极电流 (Id) 为 1.8A,这意味着它可以承载较大电流而不会出现过热现象。其在 25°C 的环境下,最大导通电阻 (Rds On) 为 250 毫欧,这在实际应用中可以有效减少能量损耗,提高系统整体效率。

CPH3351-TL-W 的泄漏源电压 (Vdss) 达到 60V,适合使用在中高压电路中。尤其在电源管理及负载开关应用中,这一特性尤为重要。它的驱动电压在 4V 至 10V 之间,最大栅极源电压 (Vgs) 为 ±20V,提供了更大的灵活性以适应不同的控制信号。

关键特性

  • 导通阈值(Vgs(th)): 在 1mA 时,最大值为 2.6V。这意味着在较低电压下即可开启该管道,适配许多低电压应用。
  • 栅极电荷(Qg): 最大 6nC @ 10V,这对于高频应用而言非常关键,能够实现快速开关操作。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为 262pF @ 20V,保证了良好的信号响应速度。

应用场景

基于 CP3351-TL-W 的电气特性,它可以广泛应用于多种场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源处理电路中,该 MOSFET 可用于功率开关。
  • 负载开关: 可用于各类负载开启和关闭,比如在自动化系统中控制电机和灯泡等。
  • 开关电源: 作为开关器件,可以有效调节功率,实现系统的高效能运作。
  • 数据通信: 在一些信号调理和放大电路中,作为开关来实现数据的快速传输。

总结

CPH3351-TL-W 是一款集成了多种高端特性的 P 通道 MOSFET,凭借其优秀的电气性能和广泛的应用适用性,为电子工程师们提供了一个理想的解决方案。无论是用于电源管理、负载开关,还是数据通信领域,该 MOSFET 都能够保证系统的高效运行和良好的控制能力。ON Semiconductor 作为质量保证的制造商,为用户提供了稳定可靠的产品,为电子设备的开发和应用注入了强劲动力。