BZX84C33LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BZX84C33LT1G

商品编码: BM69419264
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
稳压二极管 独立式 33V 31V~35V 50nA@23.1V SOT-23
库存 :
2696(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.626
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.626
--
200+
¥0.209
--
1500+
¥0.13
--
3000+
¥0.0899
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BZX84C33LT1G参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)33V容差±6%
功率 - 最大值225mW阻抗(最大值)(Zzt)80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50nA @ 23.1V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)

BZX84C33LT1G手册

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BZX84C33LT1G概述

产品概述:BZX84C33LT1G 稳压二极管

一、基本信息

BZX84C33LT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款稳压二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装设计。这款稳定的器件专门用于电压参考和电压稳压的应用,它的标称齐纳电压为 33V,电压容差为 ±6%。凭借其卓越的性能,BZX84C33LT1G 可以广泛应用于各种电子电路中,以确保电流的稳定性和管理电压的波动。

二、主要特性

  1. 电压和功率规格

    • 齐纳电压 (Vz):33V
    • 容差:±6%
    • 最大功率 (Pzt):225mW

    BZX84C33LT1G 以其稳定的电流特性和合理的功率等级,使其在过载情况下也能保持良好的性能表现。此处的功率最大值为225mW,适用于许多低功耗电路设计。

  2. 电流性能

    • 反向泄漏电流:50nA @ 23.1V
    • 正向电压 (Vf):900mV @ 10mA

    反向泄漏电流与其他器件相比非常低,这意味着在正常操作中,电流的损耗较小,能够有效降低功耗,增加电路的效率。正向电压在10mA的给定条件下为900mV,与常见的硅基二极管相比,BZX84C33LT1G 具备更高的稳定性。

  3. 阻抗特性

    • 最大阻抗(Zzt):80 Ohms

    最佳的阻抗特性确保了在电压变化时,二极管能够迅速响应并保持稳定,不会引入过多的波动。

  4. 工作温度范围

    • 工作温度 (TJ):-65°C ~ 150°C

    BZX84C33LT1G 的宽工作温度范围使其适用于多种环境条件,从极端寒冷到高热环境,确保了器件在各种条件下的可靠性。

三、应用领域

BZX84C33LT1G的设计使其适用于多个应用领域,包括但不限于:

  • 电源管理:在电源稳压器中用作基准电压源,以确保输出电压的准确性。
  • 信号调节:能够用于调节和维持信号电压,保障信号的质量。
  • 保护电路:在电路中提供过压保护,通过齐纳效应防止器件因电压过高而损坏。
  • 消费电子:在日常消耗设备中,BZX84C33LT1G提供可靠的电压稳压解决方案,如手机充电器和便携设备。
  • 汽车应用:适用于汽车电子产品中,以提高电路的稳定性和安全性。

四、封装和安装

BZX84C33LT1G采用 SOT-23-3(TO-236)封装,这是一种表面贴装型设计,适合现代电子设备的紧凑设计。表面贴装的特性简化了生产工艺,提高了组装效率,并占用较小的PCB空间。

五、总结

总之,BZX84C33LT1G 是一款高性能、可靠的稳压二极管,秉承了安森美一贯的设计哲学,以性能和效率为核心。无论是在电源管理、信号调节,还是在保护电路中,BZX84C33LT1G 均展现出卓越的应用能力。其宽广的工作温度范围、低反向泄漏电流、合理的功率和阻抗特性,使得这一器件在各种电气环境中都能保持优异的表现,是电子设计师在选择稳压元件时的优选方案。