电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 33V | 容差 | ±6% |
功率 - 最大值 | 225mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 23.1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
产品概述:BZX84C33LT1G 稳压二极管
BZX84C33LT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款稳压二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装设计。这款稳定的器件专门用于电压参考和电压稳压的应用,它的标称齐纳电压为 33V,电压容差为 ±6%。凭借其卓越的性能,BZX84C33LT1G 可以广泛应用于各种电子电路中,以确保电流的稳定性和管理电压的波动。
电压和功率规格:
BZX84C33LT1G 以其稳定的电流特性和合理的功率等级,使其在过载情况下也能保持良好的性能表现。此处的功率最大值为225mW,适用于许多低功耗电路设计。
电流性能:
反向泄漏电流与其他器件相比非常低,这意味着在正常操作中,电流的损耗较小,能够有效降低功耗,增加电路的效率。正向电压在10mA的给定条件下为900mV,与常见的硅基二极管相比,BZX84C33LT1G 具备更高的稳定性。
阻抗特性:
最佳的阻抗特性确保了在电压变化时,二极管能够迅速响应并保持稳定,不会引入过多的波动。
工作温度范围:
BZX84C33LT1G 的宽工作温度范围使其适用于多种环境条件,从极端寒冷到高热环境,确保了器件在各种条件下的可靠性。
BZX84C33LT1G的设计使其适用于多个应用领域,包括但不限于:
BZX84C33LT1G采用 SOT-23-3(TO-236)封装,这是一种表面贴装型设计,适合现代电子设备的紧凑设计。表面贴装的特性简化了生产工艺,提高了组装效率,并占用较小的PCB空间。
总之,BZX84C33LT1G 是一款高性能、可靠的稳压二极管,秉承了安森美一贯的设计哲学,以性能和效率为核心。无论是在电源管理、信号调节,还是在保护电路中,BZX84C33LT1G 均展现出卓越的应用能力。其宽广的工作温度范围、低反向泄漏电流、合理的功率和阻抗特性,使得这一器件在各种电气环境中都能保持优异的表现,是电子设计师在选择稳压元件时的优选方案。