SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A | FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 功率 - 最大值 | 1.4W | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4948BEY-T1-GE3手册
SI4948BEY-T1-GE3概述
SI4948BEY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI4948BEY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能 P 沟道场效应管（MOSFET），主要用于现代电子设备中的开关和功率管理应用。它采用表面贴装型（SMD）封装，具有 8-SOIC 封装（尺寸为 0.154 英寸，3.90mm 宽），便于自动化组装和高密度电路板设计。
主要参数
SI4948BEY-T1-GE3 具有多项关键性能参数，使其在多种应用中表现出色。其重要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 最大 60V，适用于高电压的应用环境。
- 连续漏极电流（Id）: 最大 2.4A，允许在额定条件下稳定工作。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 3.1A 和 10V 的条件下，最大为 120 毫欧，确保低功耗和高效率的能量传递。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 3V @ 250µA，提供有效的开启和关闭控制。
- 最大功率: 1.4W，这使得该组件能在相对较高的功率水平下稳定工作。
- 栅极电荷（Qg）: 最大为 22nC @ 10V，保证了快速开关能力，对于高频应用特别有利。
工作环境
此部件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，适应于严苛的环境条件。这使得 SI4948BEY-T1-GE3 非常适合于汽车、工业控制和消费电子等领域的高温应用要求。
结构与设计
作为一种逻辑电平门，SI4948BEY-T1-GE3 的设计考虑了在低电压下也能有效导通，适合与微控制器等低电压设备直接集成。其双 P 沟道结构意味着在设计时可以实现更高的集成度和更小的电路板面积。
应用场景
SI4948BEY-T1-GE3 由于其优异的电流和功率特性，适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理电路: 例如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
- 电机控制: 可用于无刷电机驱动器或步进电机控制。
- 开关电源: 在各类电源中实现高效开关控制，减少能量损耗。
- 汽车电子: 例如电源开关、灯光控制模块和其他汽车电气产品。
竞争优势
相比市场上其他同类产品，VISHAY SI4948BEY-T1-GE3 的低 Rds(on) 和广泛的工作温度范围使其在高效功率管理和热管理方面具备显著的优势。其表面贴装型的设计可有效降低PCB面积，同时简化了生产工艺，非常适合用于空间受限的高密度电路设计。此外，VISHAY 品牌本身在电子元器件领域的知名度和可靠性，使得选用该产品的设计工程师可以获得更高的信心。
总结
总之，SI4948BEY-T1-GE3 是一款高效能、可靠且具有广泛应用前景的P沟道场效应管，凭借其出色的技术参数和设计，满足了现代电子设备对功率管理和开关控制的需求。无论是在消费电子，工业自动化还是汽车电子领域，SI4948BEY-T1-GE3 都能提供卓越的性能和可靠性，值得在应用设计中考虑。