安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 欧姆 @ 10mA,4V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7pF @ 3V | Vgs(最大值) | ±7V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 50V |
功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1µA |
产品命名及基本信息: SSM3K17FU,LF 是由东芝(Toshiba)公司生产的一款表面贴装型 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),其封装形式为 SC-70 (SOT-323),广泛应用于低功耗电子电路中。这款 MOSFET 具有高效能、低导通电阻和宽泛的工作温度范围,适应各种严酷的应用场合。
主要规格:
电气特性:
工作环境: SSM3K17FU,LF 的工作温度范围广,最高可达 150°C(TJ),适合于高温环境下的操作。这使得该 MOSFET 非常适合用于汽车电子、工业控制、航空航天等领域,需要在严苛环境中持续稳定工作的场合。
应用场景: 由于其特点,SSM3K17FU,LF MOSFET 可广泛应用于:
总结: SSM3K17FU,LF 是一款性能可靠的 N 通道 MOSFET,具备低导通电阻、广泛的工作温度及高电流和电压处理能力,适合多种应用场景。其表面贴装型封装设计,使其易于集成到各种电路板中。这款器件的出色性能,结合东芝的高可靠性,确保了其在现代电子产品中占有一席之地。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电气系统,SSM3K17FU,LF 都能提供卓越的解决方案,是设计师和工程师的理想选择。