IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 185 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR120NTRPBF手册
IRLR120NTRPBF概述
产品概述：IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为各种电源和开关应用而设计。这款 MOSFET 由知名品牌 Infineon（英飞凌）生产，具备优秀的电气性能与热管理能力，适用于多个工业及消费电子领域。
基本参数
IRLR120NTRPBF 的关键参数如下：
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 25°C 时的连续漏极电流 (Id): 10A（在热耗散良好的条件下）
- 驱动电压: 最小 Rds On 在 4V，最大 Rds On 在 10V
- 导通电阻 (Rds On): 在 6A 和 10V 条件下最大值为 185 毫欧
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 20nC @ 5V
- 栅极偏置电压 (Vgs 最大值): ±16V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 440pF @ 25V
- 功率耗散（Pd 可解）: 最大 48W（在Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（TJ）
封装与安装
IRLR120NTRPBF 采用便捷的 TO-252-3（D-Pak）封装，适合表面贴装（SMD）应用，便于自动化生产和安装。该封装设计提供了良好的散热性能，使得在高功率应用中保持稳定。
性能特点
高功率承载能力: 最大功率耗散为 48W，使得 IRLR120NTRPBF 能在严苛环境下稳定运行，特别适合需要高功率的应用场合，如 DC-DC 转换器、马达驱动和开关电源等。
低导通电阻: 185 毫欧的最大导通电阻降低了功耗与发热，提升了整体系统效率。尤其在高频开关应用中，低 Rds On 特性有助于提高开关速度并降低开关损耗。
广泛的工作温度范围: -55°C 到 175°C 的工作温度范围使该 MOSFET 适合于高温和恶劣环境下的应用。无论是在汽车电子、工业控制还是航空航天领域，IRLR120NTRPBF 都能够稳定工作。
优良的阈值特性: 最大 2V 的阈值电压提供了良好的开关特性，适合创新设计中的低电压驱动应用。这对于降低系统的功耗和提升效率至关重要。
快速开关特性: 20nC 的栅极电荷使得 MOSFET 在高频应用中能迅速切换，大幅提升了系统的响应速度，适合于高频率的开关电源和 PWM 控制。
应用场景
- 开关电源: IRLR120NTRPBF 可用于 AC-DC 转换、DC-DC 转换以及其他需要节能的电源管理方案。
- 电机控制: 在电机驱动应用中，这款 MOSFET 能提供高效能和可靠的开关，适合步进电机及直流电机的控制。
- 汽车电路: 由于其高温工作特性，IRLR120NTRPBF 非常适合于汽车电气系统，如电源分配、驱动单元等。
- 工业应用: 工业自动化和控制设备中，需要较高电流和耐受温度的应用场合，IRLR120NTRPBF 的优异性能表现能得到充分发挥。
结论
IRLR120NTRPBF MOSFET 凭借其高耐压、低导通电阻及广泛的工作温度范围，成为许多高性能电源和开关应用中的首选器件。无论是在设计创新还是在提高电源效率方面，这款元件都具备了显著的优势，是支持现代电子设备可靠运行的重要基础元件。