FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26.5 毫欧 @ 22A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1770pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 92W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF540ZPBF 是一款高性能的 N 型沟道 MOSFET,专为各种功率管理和开关应用设计。其工作电压最高可达 100V,最大持续漏极电流为 36A,使其适合用于自动化、电源管理、以及高频开关电源等多种应用场景。凭借良好的开关性能和热稳定性,IRF540ZPBF 是现代电子设备中不可或缺的功率转换元器件之一。
IRF540ZPBF 的可工作温度范围广泛,其结温可在 -55°C 到 175°C 之间工作,适应恶劣的工业环境。最高功率耗散能力为 92W(在结温 Tc 下),这使得其在持续高功率运行时性能稳定。
该 MOSFET 的驱动电压为 ±20V,配合栅极电荷(Qg)最大仅为 63nC @ 10V,这意味着它在开关速度和响应性方面表现出色,因此适用于多种高频应用。
IRF540ZPBF 采用 TO-220AB 封装,支持通孔安装,便于在实际电路板上的应用与布局。TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能,而且机械强度和可靠性也很高。
由于其卓越的性能,IRF540ZPBF 被广泛应用于以下几个方面:
IRF540ZPBF 是一款高效、可靠的 N 型沟道 MOSFET,凭借其高电压、高电流能力以及低导通电阻,非常适合现代电子设备中的各种电源和开关应用。其广泛的工作温度范围和出色的负载能力使其能够在多种环境条件下保持优异的性能,是电子工程师在选择功率转换元器件时的理想选择。