IRF540ZPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF540ZPBF

商品编码: BM69419225
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.715g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 92W 100V 36A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
7(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.21
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.21
--
100+
¥2.57
--
1000+
¥2.37
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF540ZPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26.5 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)63nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1770pF @ 25V
功率耗散(最大值)92W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRF540ZPBF手册

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IRF540ZPBF概述

IRF540ZPBF 产品概述

一、基本介绍

IRF540ZPBF 是一款高性能的 N 型沟道 MOSFET,专为各种功率管理和开关应用设计。其工作电压最高可达 100V,最大持续漏极电流为 36A,使其适合用于自动化、电源管理、以及高频开关电源等多种应用场景。凭借良好的开关性能和热稳定性,IRF540ZPBF 是现代电子设备中不可或缺的功率转换元器件之一。

二、主要参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 最大可承受 100V 的漏源电压,使其能够适用于多种高电压应用场合。
  2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下可提供高达 36A 的连续电流,确保在高功率条件下也能稳定工作。
  3. 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下,最大导通电阻为 26.5 毫欧 @ 22A,这意味着在高负载条件下的能量损耗相对较小。
  4. 阈值栅极电压 (Vgs(th)): 最大值为 4V @ 250µA,确保在低电压下也能较好地导通。
  5. 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1770pF @ 25V,提供较高的开关频率下的性能。

三、工作环境与性能

IRF540ZPBF 的可工作温度范围广泛,其结温可在 -55°C 到 175°C 之间工作,适应恶劣的工业环境。最高功率耗散能力为 92W(在结温 Tc 下),这使得其在持续高功率运行时性能稳定。

四、驱动与开关特性

该 MOSFET 的驱动电压为 ±20V,配合栅极电荷(Qg)最大仅为 63nC @ 10V,这意味着它在开关速度和响应性方面表现出色,因此适用于多种高频应用。

五、封装与安装

IRF540ZPBF 采用 TO-220AB 封装,支持通孔安装,便于在实际电路板上的应用与布局。TO-220 封装不仅提供了良好的散热性能,而且机械强度和可靠性也很高。

六、应用领域

由于其卓越的性能,IRF540ZPBF 被广泛应用于以下几个方面:

  • 开关电源: 适用于 DC-DC 转换器、UPS 系统和其他高效电源管理解决方案。
  • 电机驱动: 适合用于电机驱动器和控制电路,例如工业自动化和电动汽车应用。
  • 电力转换: 可在逆变器和其他功率转换设备中使用,最大化效率并降低功耗。

七、总结

IRF540ZPBF 是一款高效、可靠的 N 型沟道 MOSFET,凭借其高电压、高电流能力以及低导通电阻,非常适合现代电子设备中的各种电源和开关应用。其广泛的工作温度范围和出色的负载能力使其能够在多种环境条件下保持优异的性能,是电子工程师在选择功率转换元器件时的理想选择。