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IRF5305PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 55V 31A 1个P沟道 TO-220-3
库存 :
4(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.82按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.82
--
100+
￥3.05
--
1000+
￥2.83
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF5305PBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF5305PBF手册
无数据
IRF5305PBF概述
产品概述：IRF5305PBF MOSFET
基本信息
IRF5305PBF 是一款高性能的 P 通道场效应管（MOSFET），由著名的半导体制造商英飞凌（Infineon）制造。该产品采用了金属氧化物技术，广泛应用于电力管理、电源开关和其他要求高效率和高可靠性的电路设计。IRF5305PBF 的额定漏源电压为 55V，连续漏极电流可达 31A，结合卓越的导通电阻和高功率处理能力，成为各种电子应用的理想选择。
关键参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（当工作环境温度为 Tc 时）
- 驱动电压（Vgs）：最大 Rds On 在 10V 的驱动电压下表现优异
- Rds On：在 10V 驱动时，电流为 16A 时，最大导通电阻为 60 毫欧
- Vgs(th)：最大阈值电压为 4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 时最大为 63nC，表现出较低的门极驱动损耗
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大值为 1200pF @ 25V，确保快速开关性能
- 功率耗散（Pd）：最大为 110W（当 Tc 处于额定温度下）
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C（TJ），使其在极端环境下也能稳定工作
- 封装类型：TO-220AB，适合通过孔安装
应用领域
IRF5305PBF 由于其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，适用于如下应用：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器和电源开关电路中，IRF5305PBF 可以有效控制电源的开关，提升电源效率。
- 电机驱动：可用于直流电机的驱动和控制电路中，对功率条件的要求极为重要。
- 家用电器：广泛用于各种家电，如洗衣机、空调等的控制电路中，实现高效能和低能耗的目标。
- 汽车电子：在汽车的电源系统、控制模块中，IRF5305PBF 可提供可靠的性能支持。
- 可再生能源：在太阳能逆变器和风能发电系统中，该元件具有极其重要的应用价值，能够承受瞬时高负载的要求。
产品优势
高效能：通过低导通电阻，IRF5305PBF 能在高电流下运行而产生较小的功耗，从而提高整体系统的效率。
高功率处理能力：最大功率耗散可达到 110W，适合高功率应用，确保设备的安全与稳定。
宽温范围：可在极端温度下工作，使其在严苛的环境条件下也能充分发挥性能，适应多种应用场景。
便捷的封装：TO-220AB 封装使其安装简便，并适用于热管理，降低了系统的整体成本。
总结
IRF5305PBF P 型 MOSFET 的多种优越电气特性与高可靠性，使其适合于多种电子应用。无论是在电源管理、汽车电子或是家用电器中，IRF5305PBF 都能够发挥重要作用。对于需要高效率和高功率处理能力的系统设计者，IRF5305PBF 是一个理想的选择。