IRF520NPBF
IRF520NPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF520NPBF手册
IRF520NPBF概述
IRF520NPBF 产品概述
一、基本介绍
IRF520NPBF是一款高性能的N通道MOSFET，具有优良的电气特性和广泛的应用场景。作为分类中的一员，IRF520NPBF特别适合高电压、大电流的开关和线性应用，日常使用中可以广泛用于电源管理、马达驱动、开关电源以及其他高效电力转换系统。由于其杰出的导通电阻和高功率处理能力，IRF520NPBF成为了一种常用的FET选择。
二、关键参数
类型与技术
IRF520NPBF是一种N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用先进的制造工艺，确保了它在高频、高性能电路中的可靠性及效率。电压及电流特性
- 漏源电压(Vdss)：该器件的最大漏源电压为100V，能够支持较高的电压应用。
- 连续漏极电流(Id)：在25°C条件下，IRF520NPBF的最大漏极电流为9.7A，适合大电流的应用场景。
导通电阻与栅极电压
IRF520NPBF在10V栅极电压下，具有最大导通电阻Rds(on)为200毫欧（在5.7A条件下测得），这极大降低了在工作期间的功耗和发热，有助于提高整体系统效率。栅阈值电压
在不同的漏极电流Id和栅源电压Vgs下，IRF520NPBF的栅阈值电压Vgs(th)最大为4V（适用电流为250µA），这使得设备可以在较低的栅电压下开启，具备较好的控制特性。功率耗散
IRF520NPBF的最大功率耗散在环境温度下可达48W，表明其在高负荷工作条件下仍能保持稳健性能。工作温度范围
该器件能够在-55°C至175°C的广泛温度范围内稳定工作，非常适合恶劣环境的应用。
三、封装与安装
IRF520NPBF采用TO-220AB封装，设计上便于通孔安装，具有良好的散热性能及机械强度，适合快速集成于多种电子电路中。该封装的设计使得IRF520NPBF在散热和体积之间保持了良好的平衡，从而优化了系统的整体设计。
四、应用场景
IRF520NPBF因其卓越的性能被广泛应用于多个领域，包括：
- 开关电源（SMPS）：在电源转换器中充当开关元件，提供高效能量转换。
- 功率放大器：用于音频及RF放大器等高功率增益应用。
- 电动机控制：在电动机驱动系统中调节电流，提供精准控制。
- 电子控制系统：如HVAC、汽车电子等领域，通过高效的开关控制实现能量管理。
五、总结
综上所述，IRF520NPBF是一款高压大电流的N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的应用潜力，成为了现代电子设计中不可或缺的重要元件。其可靠的性能及控制特性使其无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域都具备了极高的实用价值，是电力管理和系统优化的理想选择。