BSP318SH6327XTSA1
BSP318SH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 380pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP318SH6327XTSA1手册
BSP318SH6327XTSA1概述
产品概述：BSP318SH6327XTSA1
BSP318SH6327XTSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，专为汽车和工业应用设计，符合最高的质量标准。该器件不仅满足严苛的工作条件，还展现出极高的可靠性和制造能力。它集成了先进的技术，适用于广泛的应用场景，例如 LED 照明、先进驾驶辅助系统（ADAS）、车身控制单元、开关电源（SMPS）以及电机控制等。
基本参数
BSP318SH6327XTSA1 采用金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）技术，其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为 60V，适合用于电压要求较高的应用。
- 最大连续漏极电流（Id）：在测试温度 25°C 下，产品可承受的最大连续漏极电流为 2.6A，这使其能够满足多种负载需求。
- 栅源电压（Vgs）的适用范围：BSP318SH6327XTSA1 的驱动电压范围在 4.5V 至 10V 之间，显示出良好的驱动能力。
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅压下，最大导通电阻为 90 毫欧（@ 2.6A），这保证了在长时间运行时的热效率和性能稳定性。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 2V@20µA，方便设计者在低压下操作。
- 输入电容（Ciss）：在 25V 电压下，其输入电容最大为 380pF，便于快速开关响应。
- 功率耗散：器件的最大功率耗散为 1.8W（在环境温度下），这使得它可以在较高功率的电路中安全工作。
- 工作温度范围：可在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，确保了其在极端条件下的可靠性能。
封装与安装
BSP318SH6327XTSA1 采用 PG-SOT223-4 表面贴装型封装，该封装有助于提高散热性能，并便于自动化生产和组装。它也兼容 TO-261-4 和 TO-261AA 封装形式，以满足不同设计需求。
应用场景
BSP318SH6327XTSA1 的优越性能使其特别适合于以下应用：
LED照明：在 LED 驱动电路中，需要高效率和稳定性的开关元件，BSP318SH6327XTSA1 的低导通电阻和高开关频率可以确保较高的电源效率和灯光输出稳定性。
汽车电子：该器件符合汽车行业的高标准，非常适合用于车辆电子控制系统，如车身控制单元、动力管理和电动机驱动。
开关电源（SMPS）：在开关电源中，BSP318SH6327XTSA1 能够处理高电压、大电流，确保高效的功率转换。
电动机控制：在电动机控制器中，MOSFET 可实现快速开关，减少功率损耗，提高整体系统的响应速度。
总结
综合来看，BSP318SH6327XTSA1 是一款可靠、高效且灵活的 N 通道 MOSFET，适合广泛的应用需求。英飞凌在电子元件领域的专业技术背景与先进制造能力使得这一产品在市场竞争中具备了显著的优势。无论是在汽车电子还是工业设备中，BSP318SH6327XTSA1 都能提供卓越的性能表现，是设计工程师的一项理想选择。