功率(Pd) | 48W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 88pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@10V,30A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.261nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
BSC0902NS是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。该器件专为高效能电子应用设计,具有出色的电流承载能力和较低的导通电阻,能够满足现代电源管理和开关电路的需求。BSC0902NS采用TDSON-8封装,尺寸为5x6 mm,适合高密度PCB布局,广泛应用于电源转换、马达驱动以及其他高频开关应用中。
BSC0902NS的优秀特性使其在多种应用场景中展现出色的表现,包括但不限于:
BSC0902NS使用TDSON-8封装,这种封装方式不仅减少了占用的空间,更优化了热管理性能。封装设计旨在提高散热效率,适合高集成度的电路板设计需求。它的紧凑布局帮助设计师在有限的PCB面积内实现更高的功能性。
与市场上同类产品相比,BSC0902NS凭借其卓越的电性能和可靠性,成为许多工程师的首选。英飞凌的品牌信誉,结合该器件在严格测试条件下展示的优异性能,使得它在业界内备受推崇。
BSC0902NS是一款综合能力强大的N沟道MOSFET,专为高效能应用而设计,适用于多种行业。其低导通电阻、高电流能力、以及稳定性使其在激烈竞争的市场中脱颖而出。通过采用此器件,设计师可以确保他们的产品在性能与效能上都能达到最高标准。无论是在电源管理、马达驱动还是其它高频开关应用中,BSC0902NS都将是一个极具竞争力的选择。