DTB543ZETL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTB543ZETL

商品编码: BM69419210
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 12V 500mA 1个PNP-预偏置 SC-75(SOT-416)
库存 :
2895(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.44
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.44
--
200+
¥0.284
--
1500+
¥0.246
--
3000+
¥0.218
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTB543ZETL参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)12V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)140 @ 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁260MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-75,SOT-416
供应商器件封装EMT3

DTB543ZETL手册

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DTB543ZETL概述

产品概述:DTB543ZETL PNP数字晶体管

概述

DTB543ZETL是一款高性能的PNP数字晶体管,适用于需要预偏置的数字电路设计。该器件由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)出品,具有优良的电气特性和可靠性,广泛应用于各类数字电路和信号处理应用中。

主要特性

  • 晶体管类型: PNP - 预偏置
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 12V
  • 电流增益 (hFE): 在100mA、2V时的最小值为140
  • 饱和压降 (Vce_sat): 在5mA和100mA时的最大值为300mV
  • 集电极截止电流: 最大值为500nA
  • 频率响应: 高达260MHz
  • 最大功率耗散: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装: SC-75 (SOT-416) 表示其紧凑的尺寸与优秀的散热能力,使其适合用于空间受限的电路板设计
  • 供应商器件封装: EMT3

电气性能

DTB543ZETL具有优异的电气性能,能够在多个工作条件下保持稳定的操作。其最大集电极电流为500mA,适合应用于中功率的电子电路;而最大集射极击穿电压为12V,使其能够承受较高的电压负荷。此外,该器件在100mA的条件下,具有不低于140的直流电流增益,意味着其在小信号放大应用中能提供优秀的增益特性。

在饱和状态时,Vce_sat的最大值为300mV,确保了在开关操作时的高效能,减少了功耗和热量的产生,并提高线上传输的稳定性。在集电极截止状态下,500nA的电流再保证了器件的高输入阻抗,适合多种数字电路设计。

应用场景

由于DTB543ZETL具备良好的频率响应(260MHz),它非常适合用于信号放大、切换、驱动电路等多种高频应用。此外,由于其小巧的表面贴装封装(SC-75),可以在空间受限的电路设计中方便安装,并且适合于现代电子设备如智能手机、平板电脑及其他便携式设备。

该晶体管也适合于使用在功率管理、信号转换和低噪声放大器中,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域,使其成为设计师在开发数字电路时的理想选择。

性能优势

  1. 高线性度和增益: DTB543ZETL提供了稳定的增益特性,使得放大器电路对输入信号的准确响应更为明显,特别适合需要精密控制的应用场景。
  2. 低功耗特性: 由于其饱和压降低和集电极截止电流小,使得该器件在实际应用中表现出色,进一步降低了设备的热量和能耗。
  3. 小包装: SC-75封装的形式,使得其在各种电路板设计中有更大的灵活性,适合现代精密电子元器件的小型化趋势。
  4. 适应性强: 最大工作频率高达260MHz,保证了在可靠性和性能上的综合表现,适应多种不同的信号处理需求。

结论

DTB543ZETL PNP数字晶体管是一款功能强大且灵活性十足的电子元器件。凭借其卓越的电气性能及多样化的应用潜力,它适用于各种现代电子产品,助力工程师在设计中实现高效、可靠的解决方案。无论是在频率响应、功率管理,还是在系统集成方面,DTB543ZETL均表现出去卓越的优势,是您电子设计中的理想选择。