DMP1011UCB9-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP1011UCB9-7

商品编码: BM69419209
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
UWLB15159
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 890mW 8V 10A 1个P沟道 U-WLB1515-9
库存 :
2796(起订量1,增量1)
批次 :
19+
数量 :
X
1.54
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
100+
¥1.23
--
750+
¥1.1
--
1500+
¥1.04
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP1011UCB9-7参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)8V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值)-6V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1060pF @ 4V
功率耗散(最大值)890mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-WLB1515-9
封装/外壳9-UFBGA,WLBGA

DMP1011UCB9-7手册

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DMP1011UCB9-7概述

产品概述: DMP1011UCB9-7 P通道MOSFET

简介

DMP1011UCB9-7是一款高性能、低功耗的P通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效、可靠的开关和放大器电路中。该元件由知名品牌DIODES(美台)生产,并采用U-WLB1515-9的表面贴装封装,具有出色的电气性能以及广泛的工作温度范围,适合各种电子应用。


基础参数

  • 类型: P通道MOSFET
  • 最大漏源电压 (Vdss): 8V
  • 25°C时的连续漏极电流 (Id): 10A
  • 最大Rds On的驱动电压: 2.5V (最小), 4.5V (最大)
  • 导通电阻 (Rds On): 在2A和4.5V条件下,最大值为10毫欧,确保有效的电力传输和热管理。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值1.1V @ 250µA,这一特性使得器件能够在低电压下启动,从而实现低功耗的电路设计。
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值为10.5nC @ 4.5V,可以降低驱动电路中的开关损耗,提高开关频率。
  • 最大栅源电压 (Vgs): -6V,适用于双向驱动应用。
  • 最大输入电容 (Ciss): 1060pF @ 4V,表明在高频场景下的良好性能。
  • 最大功率耗散: 890mW (Ta),此特性提供了高效率的功率传输。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,能够在极端环境下稳定工作。
  • 封装类型: 表面贴装型,符合现代电子设备设计需求。

应用领域

DMP1011UCB9-7适用于多个领域,尤其是在需要高效开关控制的场景内,包括:

  1. 电源管理: 适合用于DC-DC转换器、线性电源以及开关电源等电源管理设计,能够在低功耗条件下稳定工作。
  2. 负载开关电路: 在家电、工业控制和汽车电子中作为负载开关,提供了可靠的开关控制能力。
  3. 信号放大器: 在高性能放大电路中,DMP1011UCB9-7可用作高效信号放大器。
  4. LED驱动电路: 由于其高效率和快速开关能力,非常适合用于LED驱动和调光应用。

优点

选择DMP1011UCB9-7作为设计中的关键电子元器件,具有以下几个显著优点:

  • 低Rds On:其低导通电阻使得器件能够在高电流和高电压的条件下有效地管理热量,降低功耗并提高整体效率。
  • 宽广的工作温度范围: 能够在极端温度条件下稳定工作,使其在工业和汽车等高要求环境下表现出色。
  • 快速开关响应: 其低栅极电荷和快速开关特性使得该MOSFET能够实现高频率的开关操作,适合于各种动态负载应用。
  • 小型化封装: U-WLB1515-9封装设计为表面贴装类型,能够帮助设计师在空间有限的电路板上实现高密度设计。

总结

DMP1011UCB9-7凭借其卓越的电性能和广泛的应用潜力,是现代电子产品中不可或缺的组件。无论是在电源管理、负载开关还是信号放大领域,DMP1011UCB9-7都能提供可靠的解决方案和高效率的操作性能,使其成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。随着电子设计日益向小型化、高效率和高性能的发展趋势,该MOSFET将在未来的产品中继续发挥出重要作用。