FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 8V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.5nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | -6V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1060pF @ 4V |
功率耗散(最大值) | 890mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-WLB1515-9 |
封装/外壳 | 9-UFBGA,WLBGA |
简介
DMP1011UCB9-7是一款高性能、低功耗的P通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效、可靠的开关和放大器电路中。该元件由知名品牌DIODES(美台)生产,并采用U-WLB1515-9的表面贴装封装,具有出色的电气性能以及广泛的工作温度范围,适合各种电子应用。
基础参数
应用领域
DMP1011UCB9-7适用于多个领域,尤其是在需要高效开关控制的场景内,包括:
优点
选择DMP1011UCB9-7作为设计中的关键电子元器件,具有以下几个显著优点:
总结
DMP1011UCB9-7凭借其卓越的电性能和广泛的应用潜力,是现代电子产品中不可或缺的组件。无论是在电源管理、负载开关还是信号放大领域,DMP1011UCB9-7都能提供可靠的解决方案和高效率的操作性能,使其成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。随着电子设计日益向小型化、高效率和高性能的发展趋势,该MOSFET将在未来的产品中继续发挥出重要作用。