IRFB7530PBF
IRFB7530PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 411nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13703pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7530PBF手册
IRFB7530PBF概述
产品概述：IRFB7530PBF N通道MOSFET
一、基础信息
IRFB7530PBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高功率应用设计，具有优秀的电气特性和宽温工作范围。该器件的主要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：可承受最高60V的操作电压。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时，可提供高达195A的连续电流，适合大电流应用。
- 导通电阻（Rds On）：在10V的栅极驱动电压下，对于100A的电流，最大导通电阻仅为2毫欧，这使得该器件在导通状态下的功耗极低。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为3.7V @ 250µA，确保其在较低电压下也能快速开关。
- 栅极电荷（Qg）：在10V时最大值为411nC，体现出良好的开关速度。
- 功率耗散：该器件在Tc下的最大功率耗散为375W，适合于要求高散热能力的应用。
- 工作温度：IRFB7530PBF能在-55°C至175°C的广泛温度范围内可靠运行。
此外，该MOSFET采用了TO-220AB封装方式，便于热管理和安装，适合通孔焊接。这种封装形式的特性使得其在高功率应用中具备优秀的散热性能。
二、应用场景
IRFB7530PBF广泛用于各类高功率电子设备，具体应用包括但不限于：
电源管理：作为开关电源中的开关器件，IRFB7530PBF能够高效地控制电能的传输，其低导通电阻可显著减少功率损耗。
电动汽车与混合动力汽车：该器件的额定电流和电压足以满足电动汽车驱动电机控制器和能量管理系统的需求。
电机驱动器：在电机控制应用中，IRFB7530PBF能提供快速的开关响应，优化电机效率，提升系统整体性能。
DC-DC转换器：在高效的DC-DC转换器设计中，IRFB7530PBF是理想的选择，可确保高转换效率和优越的热性能。
可再生能源系统：如太阳能逆变器、风力发电系统等场合，基于其极低的导通电阻和高功率承载能力，IRFB7530PBF能够在效率和热管理方面提供可靠性能。
三、优势与特点
IRFB7530PBF的基本优势体现在以下几个方面：
高效率：其低导通电阻和高电流能力使得IRFB7530PBF在开关应用中展现出极高的工作效率，降低了电能浪费和热量生成。
广泛的工作温度范围：设备的高工作温度范围为-55°C至175°C，使其适用于各种极端环境，保证了其在多样化应用中的可靠性。
优秀的导通特性和快速开关能力：由于其设计上的优化，此MOSFET支持高频开关操作，为现代电力电子设备带来了显著的性能提升。
良好的热管理能力：通过TO-220AB封装的设计，该器件为热管理提供了优越的解决方案，降低了散热器的设计难度。
四、总结
作为一款高压、高电流的N通道MOSFET，IRFB7530PBF以其卓越的电气性能和可靠性成为高功率电子设计中的关键组件。无论是在电源管理、电动汽车、DC-DC转换还是电机驱动等应用中，其都展现出杰出的特性，是工程师们在设计过程中不可或缺的选择。IRFB7530PBF的推出大大提升了电子系统的效率和功率密度，推动了现代电子技术的发展。